Продукція > ONSEMI > FDS2672
FDS2672

FDS2672 onsemi

FDS2672-D.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+56.92 грн
5000+53.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS2672 onsemi

Description: ONSEMI - FDS2672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.9 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDS2672 за ціною від 53.45 грн до 194.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS2672 FDS2672 Виробник : ON Semiconductor 3648356060546910fds2672.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+65.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672 FDS2672 Виробник : ON Semiconductor fds2672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+74.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672 FDS2672 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584112-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS2672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.9 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+94.67 грн
500+70.17 грн
1000+59.73 грн
5000+57.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672 FDS2672 Виробник : ON Semiconductor fds2672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+111.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672 FDS2672 Виробник : onsemi / Fairchild FDS2672-D.pdf MOSFETs 200V 3.9A 70mOHMS NCH ULTRAFET
на замовлення 4317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.82 грн
10+128.52 грн
100+77.55 грн
500+62.87 грн
1000+58.16 грн
2500+53.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672 FDS2672 Виробник : onsemi FDS2672-D.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 100 V
на замовлення 5343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.98 грн
10+118.40 грн
100+81.30 грн
500+61.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672 FDS2672 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584112-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS2672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.9 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+194.46 грн
10+133.90 грн
100+94.67 грн
500+70.17 грн
1000+59.73 грн
5000+57.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672 FDS2672 Виробник : ON Semiconductor fds2672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672 FDS2672 Виробник : ON Semiconductor fds2672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.