Продукція > ONSEMI > FDS2672
FDS2672

FDS2672 onsemi

FDS2672-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+54.75 грн
5000+51.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS2672 onsemi

Description: ONSEMI - FDS2672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.9 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm.

Інші пропозиції FDS2672 за ціною від 49.44 грн до 210.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS2672 FDS2672 onsemi / Fairchild FDS2672-D.pdf MOSFETs 200V 3.9A 70mOHMS NCH ULTRAFET
на замовлення 4317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.58 грн
10+118.89 грн
100+71.73 грн
500+58.16 грн
1000+53.80 грн
2500+49.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672 FDS2672 onsemi FDS2672-D.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 100 V
на замовлення 5343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.76 грн
10+113.90 грн
100+78.21 грн
500+59.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672 FDS2672 ONSEMI ONSM-S-A0003584112-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS2672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.9 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+210.86 грн
10+134.56 грн
100+91.89 грн
500+70.78 грн
1000+61.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672 FDS2672-D.pdf
FDS2672
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 200V 3.9A 70mOHMS NCH ULTRAFET
на замовлення 4317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+175.58 грн
10+118.89 грн
100+71.73 грн
500+58.16 грн
1000+53.80 грн
2500+49.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672 FDS2672-D.pdf
FDS2672
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 100 V
на замовлення 5343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+182.76 грн
10+113.90 грн
100+78.21 грн
500+59.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672 ONSM-S-A0003584112-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS2672
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS2672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.9 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+210.86 грн
10+134.56 грн
100+91.89 грн
500+70.78 грн
1000+61.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.