Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS2672
FDS2672

FDS2672 ON Semiconductor

3648356060546910fds2672.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+62.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS2672 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 100 V.

Інші пропозиції FDS2672 за ціною від 58.10 грн до 195.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS2672 FDS2672 Виробник : onsemi FAIRS24204-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 100 V
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+66.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672 FDS2672 Виробник : onsemi / Fairchild FDS2672_D-2312663.pdf MOSFET 200V 3.9A 70mOHMS NCH ULTRAFET
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 546-555 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.23 грн
10+126.85 грн
100+88.53 грн
500+73.29 грн
1000+60.16 грн
2500+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672 FDS2672 Виробник : onsemi FAIRS24204-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2535 pF @ 100 V
на замовлення 39323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+195.46 грн
10+121.47 грн
100+83.43 грн
500+63.01 грн
1000+58.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672 FDS2672 Виробник : ON Semiconductor fds2672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672 FDS2672 Виробник : ON Semiconductor fds2672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2672 Виробник : ONSEMI FAIRS24204-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS2672 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.