Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDS3570
FDS3570

FDS3570 Fairchild Semiconductor

FAIRS37871-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 80V 9A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 25 V
на замовлення 78778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
117+182.36 грн
Мінімальне замовлення: 117
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS3570 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 80V 9A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDS3570 за ціною від 225.30 грн до 225.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS3570 FDS3570 Виробник : ONSEMI FAIRS37871-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDS3570 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 78919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
141+225.30 грн
Мінімальне замовлення: 141
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3570 Виробник : Fairchild FAIRS37871-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS3570.pdf
на замовлення 2102 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3570 Виробник : FAIRCHILD FAIRS37871-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS3570.pdf 07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3570 Виробник : FAIRCHILD FAIRS37871-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS3570.pdf SO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3570 FDS3570 Виробник : onsemi FDS3570.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3570 FDS3570 Виробник : onsemi / Fairchild FAIRS37871-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS3570.pdf MOSFETs SO-8 N-CH 80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.