Продукція > ONSEMI > FDS3572
FDS3572

FDS3572 onsemi

ONSM-S-A0003584166-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+51.61 грн
5000+47.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS3572 onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.9A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDS3572 за ціною від 49.09 грн до 121.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS3572 FDS3572 Виробник : onsemi ONSM-S-A0003584166-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
на замовлення 7070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.69 грн
10+91.53 грн
100+72.86 грн
500+57.86 грн
1000+49.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572 FDS3572 Виробник : onsemi / Fairchild FDS3572_D-2312694.pdf MOSFET 80V N-Channel PowerTrench
на замовлення 4084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.38 грн
10+99.57 грн
100+68.85 грн
250+65.57 грн
500+57.47 грн
1000+49.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572 FDS3572 Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDS3572-1123474.pdf MOSFET 80V N-Channel PowerTrench
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.