Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS3572
FDS3572

FDS3572 ON Semiconductor

fds3572-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+67.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS3572 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS3572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 8.9 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm.

Інші пропозиції FDS3572 за ціною від 49.49 грн до 169.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS3572 FDS3572 ON Semiconductor fds3572-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+68.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572 FDS3572 ON Semiconductor fds3572-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
165+85.99 грн
Мінімальне замовлення: 165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572 FDS3572 ON Semiconductor fds3572-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.01 грн
10+85.99 грн
100+64.87 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572 FDS3572 ON Semiconductor fds3572-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+116.05 грн
10000+106.05 грн
15000+98.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572 FDS3572 onsemi FDS3572-D.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
на замовлення 1271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.70 грн
10+104.99 грн
100+71.61 грн
500+53.80 грн
1000+49.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572 FDS3572 ON Semiconductor / Fairchild FDS3572-1123474.pdf MOSFET 80V N-Channel PowerTrench
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572 FDS3572 onsemi FDS3572-D.pdf MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench
на замовлення 2017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572 FDS3572 onsemi / Fairchild FDS3572_D-2312694.pdf MOSFET 80V N-Channel PowerTrench
на замовлення 4084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572 FDS3572 ONSEMI ONSM-S-A0003584166-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS3572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 8.9 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572 FDS3572 ONSEMI ONSM-S-A0003584166-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS3572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 8.9 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572 fds3572-d.pdf
FDS3572
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+68.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572 fds3572-d.pdf
FDS3572
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
165+85.99 грн
Мінімальне замовлення: 165 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572 fds3572-d.pdf
FDS3572
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+94.01 грн
10+85.99 грн
100+64.87 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572 fds3572-d.pdf
FDS3572
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+116.05 грн
10000+106.05 грн
15000+98.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572 FDS3572-D.pdf
FDS3572
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
на замовлення 1271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+169.70 грн
10+104.99 грн
100+71.61 грн
500+53.80 грн
1000+49.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572 FDS3572-1123474.pdf
FDS3572
Виробник: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET 80V N-Channel PowerTrench
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572 FDS3572-D.pdf
FDS3572
Виробник: onsemi
MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench
на замовлення 2017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572 FDS3572_D-2312694.pdf
FDS3572
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 80V N-Channel PowerTrench
на замовлення 4084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572 ONSM-S-A0003584166-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS3572
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS3572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 8.9 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3572 ONSM-S-A0003584166-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS3572
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS3572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 8.9 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.