Продукція > ONSEMI > FDS3580
FDS3580

FDS3580 onsemi

fds3580-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+47.38 грн
5000+44.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS3580 onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDS3580 за ціною від 41.79 грн до 165.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS3580 FDS3580 Виробник : ON Semiconductor fds3580-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+83.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3580 FDS3580 Виробник : onsemi / Fairchild fds3580-d.pdf MOSFETs SO-8 N-CH 80V
на замовлення 2072 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.75 грн
10+82.38 грн
100+56.94 грн
250+56.86 грн
500+46.76 грн
1000+46.45 грн
2500+41.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3580 FDS3580 Виробник : onsemi fds3580-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 14496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.57 грн
10+101.80 грн
100+69.03 грн
500+51.63 грн
1000+47.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3580 FDS3580 Виробник : ON Semiconductor fds3580-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3580 FDS3580 Виробник : ON Semiconductor fds3580-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3580 FDS3580 Виробник : ON Semiconductor 3665176866797619fds3580.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3580 Виробник : ON Semiconductor 3665176866797619fds3580.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3580 Виробник : ONSEMI fds3580-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 7.6A; Idm: 50A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 7.6A
On-state resistance: 29mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3580 Виробник : ONSEMI fds3580-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 7.6A; Idm: 50A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 7.6A
On-state resistance: 29mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.