Продукція > ONSEMI > FDS3580
FDS3580

FDS3580 onsemi

fds3580-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+42.56 грн
5000+38.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS3580 onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDS3580 за ціною від 39.43 грн до 148.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS3580 FDS3580 onsemi / Fairchild FDS3580-D.PDF MOSFETs SO-8 N-CH 80V
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+89.72 грн
10+79.77 грн
100+54.81 грн
500+45.01 грн
1000+42.52 грн
2500+40.04 грн
5000+39.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3580 FDS3580 ON Semiconductor fds3580-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+100.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3580 FDS3580 onsemi fds3580-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 9297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.70 грн
10+91.43 грн
100+62.00 грн
500+46.37 грн
1000+44.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3580 FDS3580-D.PDF
FDS3580
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SO-8 N-CH 80V
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+89.72 грн
10+79.77 грн
100+54.81 грн
500+45.01 грн
1000+42.52 грн
2500+40.04 грн
5000+39.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3580 fds3580-d.pdf
FDS3580
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+100.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3580 fds3580-d.pdf
FDS3580
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 9297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+148.70 грн
10+91.43 грн
100+62.00 грн
500+46.37 грн
1000+44.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.