FDS3580 onsemi


fds3580-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+41.47 грн
5000+37.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS3580 onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.6A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDS3580 за ціною від 36.02 грн до 144.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDS3580 FDS3580 onsemi / Fairchild FDS3580-D.PDF MOSFETs SO-8 N-CH 80V
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.97 грн
10+72.88 грн
100+50.08 грн
500+41.12 грн
1000+38.85 грн
2500+36.58 грн
5000+36.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3580 FDS3580 onsemi fds3580-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.91 грн
10+89.10 грн
100+60.42 грн
500+45.19 грн
1000+43.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3580 FDS3580-D.PDF
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SO-8 N-CH 80V
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+81.97 грн
10+72.88 грн
100+50.08 грн
500+41.12 грн
1000+38.85 грн
2500+36.58 грн
5000+36.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3580 fds3580-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+144.91 грн
10+89.10 грн
100+60.42 грн
500+45.19 грн
1000+43.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.