FDS3590 ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6.5A; 2.5W; SO8
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 6.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 93.93 грн |
| 10+ | 60.22 грн |
| 25+ | 49.14 грн |
| 100+ | 36.65 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
5 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS3590 ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 40 V.
Інші пропозиції FDS3590
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS3590 | onsemi |
MOSFETs SO-8 N-CH 80V |
на замовлення 3828 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
FDS3590 | onsemi / Fairchild |
MOSFET SO-8 N-CH 80V |
на замовлення 1914 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |