 
FDS3590 onsemi
 Виробник: onsemi
                                                Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 2500+ | 29.47 грн | 
| 5000+ | 26.29 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS3590 onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 40 V. 
Інші пропозиції FDS3590 за ціною від 29.79 грн до 111.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | FDS3590 | Виробник : onsemi |  Description: MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 40 V | на замовлення 5105 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||
|   | FDS3590 | Виробник : onsemi / Fairchild |  MOSFET SO-8 N-CH 80V | на замовлення 1914 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||
| FDS3590 | Виробник : ONSEMI |  FDS3590 SMD N channel transistors | на замовлення 470 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | |||||||||||||
|   | FDS3590 | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 80V 6.5A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||
|   | FDS3590 | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 80V 6.5A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності |