Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDS3601
FDS3601

FDS3601 Fairchild Semiconductor

FAIRS16793-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 49698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
740+29.67 грн
Мінімальне замовлення: 740
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS3601 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.3A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Power - Max: 900mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDS3601

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS3601 Виробник : FAIRCHILD FDS3601.pdf FAIRS16793-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw SO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3601 FDS3601 Виробник : onsemi FDS3601.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3601 FDS3601 Виробник : onsemi / Fairchild FDS3601-1305819.pdf MOSFET SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.