Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDS3672

FDS3672

fds3672-d.pdf 9bfa8338f5f3101f72a3028f5286341d.pdf
Код товару: 38205
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDS3672 за ціною від 38.89 грн до 147.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS3672 FDS3672 Fairchild info-tfds3672.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 43mOhm; 7,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS3672 TFDS3672
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 FDS3672 onsemi fds3672-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 25 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.80 грн
5000+41.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 FDS3672 ON Semiconductor fds3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 FDS3672 ON Semiconductor fds3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.37 грн
5000+55.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 FDS3672 ON Semiconductor fds3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.63 грн
5000+55.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 FDS3672 ON Semiconductor fds3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+69.97 грн
1000+68.94 грн
2500+68.26 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 FDS3672 ON Semiconductor fds3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+75.24 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 FDS3672 ON Semiconductor fds3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.35 грн
11+75.24 грн
100+63.93 грн
250+55.55 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 FDS3672 onsemi fds3672-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 46375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.97 грн
10+84.68 грн
100+60.82 грн
500+45.17 грн
1000+43.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 FDS3672 ONSEMI fds3672-d.pdf 9bfa8338f5f3101f72a3028f5286341d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+147.10 грн
5+97.06 грн
10+87.39 грн
50+68.72 грн
100+61.93 грн
250+54.47 грн
500+48.53 грн
1000+47.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 FDS3672 onsemi fds3672-d.pdf 9bfa8338f5f3101f72a3028f5286341d.pdf MOSFETs 100V 7.5a .22 Ohms/VGS=1V
на замовлення 27258 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 FDS3672 ONSEMI 2298619.pdf Description: ONSEMI - FDS3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5mW
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 FDS3672 ONSEMI 2298619.pdf Description: ONSEMI - FDS3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5mW
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 info-tfds3672.pdf
FDS3672
Виробник: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 43mOhm; 7,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS3672 TFDS3672
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 fds3672-d.pdf
FDS3672
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 25 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+43.80 грн
5000+41.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 fds3672-d.pdf
FDS3672
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+53.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 fds3672-d.pdf
FDS3672
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+56.37 грн
5000+55.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 fds3672-d.pdf
FDS3672
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+56.63 грн
5000+55.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 fds3672-d.pdf
FDS3672
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+69.97 грн
1000+68.94 грн
2500+68.26 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 fds3672-d.pdf
FDS3672
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
188+75.24 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 fds3672-d.pdf
FDS3672
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+78.35 грн
11+75.24 грн
100+63.93 грн
250+55.55 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 fds3672-d.pdf
FDS3672
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 46375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+137.97 грн
10+84.68 грн
100+60.82 грн
500+45.17 грн
1000+43.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 fds3672-d.pdf 9bfa8338f5f3101f72a3028f5286341d.pdf
FDS3672
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+147.10 грн
5+97.06 грн
10+87.39 грн
50+68.72 грн
100+61.93 грн
250+54.47 грн
500+48.53 грн
1000+47.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 fds3672-d.pdf 9bfa8338f5f3101f72a3028f5286341d.pdf
FDS3672
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V 7.5a .22 Ohms/VGS=1V
на замовлення 27258 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 2298619.pdf
FDS3672
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5mW
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 2298619.pdf
FDS3672
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5mW
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.