Продукція > ONSEMI > FDS3672
FDS3672

FDS3672 onsemi

fds3672-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 25 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+43.02 грн
5000+40.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS3672 onsemi

Description: ONSEMI - FDS3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5mW, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDS3672 за ціною від 38.96 грн до 152.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS3672 FDS3672 Виробник : ON Semiconductor fds3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+49.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 FDS3672 Виробник : ON Semiconductor fds3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+51.91 грн
5000+51.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 FDS3672 Виробник : ON Semiconductor fds3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+55.36 грн
5000+54.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 FDS3672 Виробник : ON Semiconductor fds3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+64.14 грн
1000+63.19 грн
2500+62.57 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 FDS3672 Виробник : ONSEMI 2298619.pdf Description: ONSEMI - FDS3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5mW
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+65.10 грн
500+46.20 грн
1000+40.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 FDS3672 Виробник : ON Semiconductor fds3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
188+68.98 грн
Мінімальне замовлення: 188
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 FDS3672 Виробник : ON Semiconductor fds3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+76.96 грн
11+73.90 грн
100+62.79 грн
250+54.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 FDS3672 Виробник : onsemi fds3672-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 25 V
на замовлення 46375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.51 грн
10+83.17 грн
100+59.73 грн
500+44.36 грн
1000+42.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 FDS3672 Виробник : ONSEMI 2298619.pdf Description: ONSEMI - FDS3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5mW
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+142.95 грн
50+92.07 грн
100+65.10 грн
500+46.20 грн
1000+40.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 FDS3672 Виробник : onsemi / Fairchild FDS3672_D-2312785.pdf MOSFETs 100V 7.5a .22 Ohms/VGS=1V
на замовлення 22185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.76 грн
10+95.53 грн
100+57.18 грн
500+45.55 грн
1000+41.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 FDS3672
Код товару: 38205
Додати до обраних Обраний товар

fds3672-d.pdf 9bfa8338f5f3101f72a3028f5286341d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 Виробник : Fairchild fds3672-d.pdf 9bfa8338f5f3101f72a3028f5286341d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 43mOhm; 7,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS3672 TFDS3672
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+38.96 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 Виробник : ONSEMI fds3672-d.pdf 9bfa8338f5f3101f72a3028f5286341d.pdf FDS3672 SMD N channel transistors
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.91 грн
20+62.00 грн
53+59.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 FDS3672 Виробник : ON Semiconductor fds3672-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 FDS3672 Виробник : UMW 9bfa8338f5f3101f72a3028f5286341d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 FDS3672 Виробник : UMW 9bfa8338f5f3101f72a3028f5286341d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.