Інші пропозиції FDS3672 за ціною від 38.87 грн до 145.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDS3672 | Виробник : Fairchild |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 43mOhm; 7,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS3672 TFDS3672кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS3672 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 25 V |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS3672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS3672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS3672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS3672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS3672 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.019 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5mW Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS3672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS3672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS3672 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 25 V |
на замовлення 46375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS3672 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.019 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5mW Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS3672 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V 7.5a .22 Ohms/VGS=1V |
на замовлення 22185 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDS3672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
FDS3672 | Виробник : UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
FDS3672 | Виробник : UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |





