FDS3672 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 25 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 45.11 грн |
| 5000+ | 42.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS3672 onsemi
Description: ONSEMI - FDS3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5mW, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDS3672 за ціною від 35.95 грн до 156.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDS3672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS3672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS3672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS3672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS3672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS3672 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.019 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5mW Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS3672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS3672 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.8A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.8A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 43mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2461 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS3672 Код товару: 38205
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||
|
FDS3672 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.8A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.8A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 43mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2461 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS3672 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 25 V |
на замовлення 46375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS3672 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.019 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5mW Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS3672 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V 7.5a .22 Ohms/VGS=1V |
на замовлення 22185 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDS3672 | Виробник : Fairchild |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 43mOhm; 7,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS3672 TFDS3672кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDS3672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FDS3672 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
FDS3672 | Виробник : UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
FDS3672 | Виробник : UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |





