Продукція > FAIRCHILD > FDS3692
FDS3692

FDS3692 Fairchild

info-tfds3692.pdf
Виробник: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 122mOhm; 4,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS3692 TFDS3692
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+25.50 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS3692 Fairchild

Description: ONSEMI - FDS3692 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.06 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDS3692 за ціною від 33.24 грн до 127.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS3692 FDS3692 onsemi fds3692-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 746 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692 FDS3692 ON Semiconductor fds3692-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692 FDS3692 ON Semiconductor fds3692-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692 FDS3692 ON Semiconductor fds3692-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+60.85 грн
250+58.23 грн
1000+55.08 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692 FDS3692 ON Semiconductor fds3692-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
481+73.54 грн
535+66.18 грн
1000+61.03 грн
Мінімальне замовлення: 481 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692 FDS3692 onsemi fds3692-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 746 pF @ 25 V
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.86 грн
10+78.35 грн
100+52.64 грн
500+39.06 грн
1000+35.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692 FDS3692 ONSEMI 2304486.pdf Description: ONSEMI - FDS3692 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.06 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692 FDS3692 onsemi fds3692-d.pdf MOSFETs 100V 4.5a .3 Ohms/VGS=1V
на замовлення 30207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692 FDS3692 onsemi / Fairchild FDS3692-D.PDF MOSFETs 100V 4.5a .3 Ohms/VGS=1V
на замовлення 32580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692 FDS3692 ONSEMI 2304486.pdf Description: ONSEMI - FDS3692 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.06 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692 fds3692-d.pdf
FDS3692
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 746 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+33.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692 fds3692-d.pdf
FDS3692
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+48.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692 fds3692-d.pdf
FDS3692
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+48.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692 fds3692-d.pdf
FDS3692
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
233+60.85 грн
250+58.23 грн
1000+55.08 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692 fds3692-d.pdf
FDS3692
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
481+73.54 грн
535+66.18 грн
1000+61.03 грн
Мінімальне замовлення: 481 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692 fds3692-d.pdf
FDS3692
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 746 pF @ 25 V
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+127.86 грн
10+78.35 грн
100+52.64 грн
500+39.06 грн
1000+35.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692 2304486.pdf
FDS3692
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS3692 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.06 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692 fds3692-d.pdf
FDS3692
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V 4.5a .3 Ohms/VGS=1V
на замовлення 30207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692 FDS3692-D.PDF
FDS3692
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V 4.5a .3 Ohms/VGS=1V
на замовлення 32580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3692 2304486.pdf
FDS3692
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS3692 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.06 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.