Технічний опис FDS3912 FAIRCHIL
Description: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.
Інші пропозиції FDS3912
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| FDS3912 | Виробник : FAIRCHILD |
 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| FDS3912 | Виробник : FAIRCHILD |
07+ SO-8 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| FDS3912 | Виробник : FAIRCHILD |
SO-8 |
на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
FDS3912 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
товару немає в наявності |
|
 |
FDS3912 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SO-8 |
товару немає в наявності |