Продукція > ONSEMI > FDS4470
FDS4470

FDS4470 onsemi

fds4470-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2659 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+60.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS4470 onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): +30V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2659 pF @ 20 V.

Інші пропозиції FDS4470 за ціною від 57.79 грн до 134.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS4470 FDS4470 ONSEMI fds4470-d.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12.5A; 2.5W; SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 12.5A
Drain-source voltage: 40V
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+125.01 грн
5+102.81 грн
25+91.20 грн
100+83.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470 FDS4470 onsemi fds4470-d.pdf description Description: MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2659 pF @ 20 V
на замовлення 6091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.83 грн
10+107.75 грн
100+85.78 грн
500+68.11 грн
1000+57.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470 FDS4470 onsemi / Fairchild FDS4470_D-2312786.pdf description MOSFETs SO-8
на замовлення 3339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470 description fds4470-d.pdf
FDS4470
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12.5A; 2.5W; SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 12.5A
Drain-source voltage: 40V
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+125.01 грн
5+102.81 грн
25+91.20 грн
100+83.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470 description fds4470-d.pdf
FDS4470
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2659 pF @ 20 V
на замовлення 6091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+134.83 грн
10+107.75 грн
100+85.78 грн
500+68.11 грн
1000+57.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470 description FDS4470_D-2312786.pdf
FDS4470
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SO-8
на замовлення 3339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.