
FDS4470 onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2659 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 64.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS4470 onsemi
Description: ONSEMI - FDS4470 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.5 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDS4470 за ціною від 52.86 грн до 209.65 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDS4470 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDS4470 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDS4470 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm |
на замовлення 5649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDS4470 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDS4470 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +30V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2659 pF @ 20 V |
на замовлення 6091 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDS4470 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12.5A; 2.5W; SO8 Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 12.5A On-state resistance: 14mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 497 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDS4470 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDS4470 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12.5A; 2.5W; SO8 Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 12.5A On-state resistance: 14mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 497 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDS4470 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 3339 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDS4470 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
![]() |
FDS4470 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
FDS4470 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |