Продукція > ONSEMI > FDS4470
FDS4470

FDS4470 onsemi

fds4470-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2659 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+60.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS4470 onsemi

Description: ONSEMI - FDS4470 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.5 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm.

Інші пропозиції FDS4470 за ціною від 57.79 грн до 134.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS4470 FDS4470 ON Semiconductor fds4470d.pdf description Trans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.72 грн
10+82.40 грн
25+81.71 грн
50+78.01 грн
100+71.24 грн
250+67.43 грн
500+66.47 грн
1000+65.52 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470 FDS4470 ON Semiconductor fds4470d.pdf description Trans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
154+92.26 грн
169+83.90 грн
170+80.66 грн
173+73.07 грн
250+68.61 грн
500+67.06 грн
1000+65.52 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470 FDS4470 ONSEMI fds4470-d.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12.5A; 2.5W; SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 12.5A
Drain-source voltage: 40V
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+125.01 грн
5+102.81 грн
25+91.20 грн
100+83.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470 FDS4470 ON Semiconductor fds4470d.pdf description Trans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+126.11 грн
500+113.56 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470 FDS4470 onsemi fds4470-d.pdf description Description: MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2659 pF @ 20 V
на замовлення 6091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.83 грн
10+107.75 грн
100+85.78 грн
500+68.11 грн
1000+57.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470 FDS4470 onsemi / Fairchild FDS4470_D-2312786.pdf description MOSFETs SO-8
на замовлення 3339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470 FDS4470 ONSEMI ONSM-S-A0003584107-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - FDS4470 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.5 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 4738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470 FDS4470 ONSEMI ONSM-S-A0003584107-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - FDS4470 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.5 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 4738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470 FDS4470 ONSEMI FAIRS24663-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: ONSEMI - FDS4470 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 795 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470 description fds4470d.pdf
FDS4470
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+89.72 грн
10+82.40 грн
25+81.71 грн
50+78.01 грн
100+71.24 грн
250+67.43 грн
500+66.47 грн
1000+65.52 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470 description fds4470d.pdf
FDS4470
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
154+92.26 грн
169+83.90 грн
170+80.66 грн
173+73.07 грн
250+68.61 грн
500+67.06 грн
1000+65.52 грн
Мінімальне замовлення: 154 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470 description fds4470-d.pdf
FDS4470
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12.5A; 2.5W; SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 12.5A
Drain-source voltage: 40V
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+125.01 грн
5+102.81 грн
25+91.20 грн
100+83.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470 description fds4470d.pdf
FDS4470
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
281+126.11 грн
500+113.56 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470 description fds4470-d.pdf
FDS4470
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2659 pF @ 20 V
на замовлення 6091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+134.83 грн
10+107.75 грн
100+85.78 грн
500+68.11 грн
1000+57.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470 description FDS4470_D-2312786.pdf
FDS4470
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SO-8
на замовлення 3339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470 description ONSM-S-A0003584107-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS4470
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4470 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.5 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 4738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470 description ONSM-S-A0003584107-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS4470
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4470 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.5 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 4738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4470 description FAIRS24663-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS4470
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4470 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 795 шт
В кошику  од. на суму  грн.