
FDS4501h onsemi

Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A, 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1958pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 34.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS4501h onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A, 5.6A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1958pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції FDS4501h за ціною від 34.72 грн до 124.94 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDS4501h | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A, 5.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1958pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 40090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDS4501h | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FDS4501h | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A, 5.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1958pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete |
на замовлення 4938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
FDS4501H | Виробник : FAIRCHILD |
![]() ![]() |
на замовлення 35450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDS4501H | Виробник : FAIRCHILD |
![]() ![]() |
на замовлення 1690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDS4501H | Виробник : FAIRCHILD |
![]() ![]() |
на замовлення 2522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDS4501h | Виробник : FSC |
![]() ![]() |
на замовлення 1037 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
FDS4501h | Виробник : fsc |
![]() ![]() |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
FDS4501h | Виробник : FSC |
![]() ![]() |
на замовлення 37 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
FDS4501h | Виробник : FAIRCHILD |
![]() ![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
FDS4501h | Виробник : FAIRCHILD |
![]() ![]() |
на замовлення 30018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
FDS4501h | Виробник : FAIR |
![]() ![]() |
на замовлення 46 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
FDS4501h | Виробник : FAI |
![]() ![]() |
на замовлення 1847 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
![]() |
FDS4501h | Виробник : ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-20V; 9.3/-5.6A; 2.5W; SO8 Drain current: 9.3/-5.6A Gate charge: 21/27nC Drain-source voltage: 30/-20V Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20/±8V Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Polarisation: unipolar Mounting: SMD On-state resistance: 80/29mΩ Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
FDS4501H | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
FDS4501h | Виробник : ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-20V; 9.3/-5.6A; 2.5W; SO8 Drain current: 9.3/-5.6A Gate charge: 21/27nC Drain-source voltage: 30/-20V Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20/±8V Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Polarisation: unipolar Mounting: SMD On-state resistance: 80/29mΩ Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |