Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDS4501h
FDS4501h

FDS4501h Fairchild Semiconductor

FAIRS34628-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 9.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A, 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1958pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 40090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
415+49.09 грн
Мінімальне замовлення: 415
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS4501h Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N/P-CH 30V 9.3A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A, 5.6A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1958pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції FDS4501h за ціною від 31.43 грн до 87.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS4501h FDS4501h Виробник : onsemi / Fairchild FDS4501H_D-2312787.pdf MOSFET SO-8 COMP N-P-CH
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+87.02 грн
10+ 79.65 грн
100+ 60.93 грн
1000+ 55.67 грн
2500+ 31.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS4501h Виробник : FAI FAIRS34628-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fds4501h-d.pdf 02+
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4501h Виробник : FAIR FAIRS34628-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fds4501h-d.pdf SOP8
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4501h Виробник : FAIRCHILD FAIRS34628-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fds4501h-d.pdf 09+
на замовлення 30018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4501h Виробник : FAIRCHILD FAIRS34628-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fds4501h-d.pdf SO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4501h Виробник : FSC FAIRS34628-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fds4501h-d.pdf
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4501h Виробник : fsc FAIRS34628-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fds4501h-d.pdf 04+ sop
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4501h Виробник : FSC FAIRS34628-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fds4501h-d.pdf 09+ SO-8
на замовлення 1037 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4501h FDS4501h Виробник : ONSEMI FAIRS34628-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fds4501h-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-20V; 9.3/-5.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-20V
Drain current: 9.3/-5.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20/±8V
On-state resistance: 80/29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21/27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDS4501H FDS4501H Виробник : ON Semiconductor fds4501h.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 9.3A/5.6A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS4501h FDS4501h Виробник : onsemi fds4501h-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 9.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A, 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1958pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товар відсутній
FDS4501h FDS4501h Виробник : onsemi fds4501h-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 9.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A, 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1958pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товар відсутній
FDS4501h FDS4501h Виробник : ONSEMI FAIRS34628-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fds4501h-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-20V; 9.3/-5.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-20V
Drain current: 9.3/-5.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20/±8V
On-state resistance: 80/29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21/27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній