на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 39.83 грн |
| 5000+ | 36.69 грн |
| 7500+ | 36.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS4675 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDS4675 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.4W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDS4675 за ціною від 24.51 грн до 138.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDS4675 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 42500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS4675 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS4675 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4675 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS4675 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 5136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS4675 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SO-8 |
на замовлення 3772 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS4675 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V |
на замовлення 2051 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS4675 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4675 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDS4675 | Виробник : ON-Semiconductor |
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 21mOhm; 11A; 2,4W; -55°C ~ 175°C; FDS4675 TFDS4675 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FDS4675 | Виробник : ONSEMI |
FDS4675 SMD P channel transistors |
на замовлення 194 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
FDS4675 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FDS4675 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FDS4675 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |