Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS4675
FDS4675

FDS4675 ON Semiconductor

fds4675jp-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+43.35 грн
5000+39.94 грн
7500+39.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS4675 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS4675 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, Verlustleistung: 2.4W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm.

Інші пропозиції FDS4675 за ціною від 39.97 грн до 81.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS4675 FDS4675 ON Semiconductor fds4675jp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.95 грн
5000+40.49 грн
7500+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675 FDS4675 ON Semiconductor fds4675jp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675 FDS4675 ON-Semiconductor info-tfds4675.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 21mOhm; 11A; 2,4W; -55°C ~ 175°C; FDS4675 TFDS4675
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+61.27 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675 FDS4675 ON Semiconductor fds4675jp-d.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
431+81.89 грн
500+73.70 грн
1000+67.96 грн
Мінімальне замовлення: 431 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675 FDS4675 onsemi / Fairchild FDS4675-D.pdf MOSFETs SO-8
на замовлення 3772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675 FDS4675 ONSEMI fds4675-d.pdf Description: ONSEMI - FDS4675 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675 FDS4675 ONSEMI ONSM-S-A0003584333-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS4675 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675 fds4675jp-d.pdf
FDS4675
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+43.95 грн
5000+40.49 грн
7500+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675 fds4675jp-d.pdf
FDS4675
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+50.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675 info-tfds4675.pdf
FDS4675
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 21mOhm; 11A; 2,4W; -55°C ~ 175°C; FDS4675 TFDS4675
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+61.27 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675 fds4675jp-d.pdf
FDS4675
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
431+81.89 грн
500+73.70 грн
1000+67.96 грн
Мінімальне замовлення: 431 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675 FDS4675-D.pdf
FDS4675
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SO-8
на замовлення 3772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675 fds4675-d.pdf
FDS4675
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4675 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 2.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4675 ONSM-S-A0003584333-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS4675
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4675 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11 A, 0.013 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.