Технічний опис FDS4885C FAIRCHILD
Description: MOSFET N/P-CH 40V 7.5A/6A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A, 6A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.
Інші пропозиції FDS4885C
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
FDS4885C | Виробник : FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
FDS4885C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
FDS4885C | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A, 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
товару немає в наявності |