
FDS4895C Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N/P-CH 40V 5.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 4.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
740+ | 30.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS4895C Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 40V 5.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 4.4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.
Інші пропозиції FDS4895C
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
FDS4895C | Виробник : FAIRCHIL |
![]() ![]() |
на замовлення 1007 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
FDS4895C | Виробник : FAIRCHILD |
![]() ![]() |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
FDS4895C | Виробник : FAIRCHILD |
![]() ![]() |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
FDS4895C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
FDS4895C | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 4.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
товару немає в наявності |