Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDS4895C
FDS4895C

FDS4895C Fairchild Semiconductor

FAIRS23633-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 40V 5.5A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 4.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
740+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 740
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS4895C Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N/P-CH 40V 5.5A 8SOIC, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5.5A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 4.4A, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Power - Max: 900mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: N and P-Channel, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDS4895C

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS4895C Виробник : FAIRCHILD FDS4895C.pdf FAIRS23633-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4895C FDS4895C Виробник : onsemi FDS4895C.pdf Description: MOSFET N/P-CH 40V 5.5A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 4.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.