FDS4897AC ON Semiconductor
на замовлення 392500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1137+ | 26.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS4897AC ON Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.1A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A, 5.2A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.1A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.
Інші пропозиції FDS4897AC за ціною від 22.13 грн до 44.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDS4897AC | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 577500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDS4897AC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 577500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDS4897AC | Виробник : Fairchild |
Transistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 39mOhm/65mOhm; 6,1A/5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; FDS4897AC TFDS4897ac кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
FDS4897AC | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.1A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A, 5.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FDS4897AC | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.1A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A, 5.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
FDS4897AC | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 40V Dual N & P Chan PowerTrench |
товару немає в наявності |