FDS4897C Fairchild
Виробник: Fairchild
Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC FDS4897C TFDS4897C
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 17.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS4897C Fairchild
Description: ONSEMI - FDS4897C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.021 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FDS4897C за ціною від 30.90 грн до 72.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDS4897C | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDS4897C | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDS4897C | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FDS4897C | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 40V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET |
на замовлення 40632 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
FDS4897C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4897C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.021 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDS4897C |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 677+ | 52.16 грн |
| FDS4897C |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 257+ | 54.96 грн |
| FDS4897C |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 72.07 грн |
| 14+ | 55.81 грн |
| 100+ | 45.44 грн |
| 500+ | 38.35 грн |
| 1000+ | 30.90 грн |
| FDS4897C |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 40V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET
MOSFETs 40V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 40632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDS4897C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4897C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - FDS4897C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




