Продукція > ONSEMI > FDS4897C
FDS4897C

FDS4897C ONSEMI

fds4897c-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4897C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS4897C ONSEMI

Description: ONSEMI - FDS4897C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.021 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FDS4897C за ціною від 17.42 грн до 68.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS4897C FDS4897C Виробник : ON Semiconductor fds4897c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
677+44.99 грн
Мінімальне замовлення: 677
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897C FDS4897C Виробник : ON Semiconductor fds4897c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
257+47.40 грн
Мінімальне замовлення: 257
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897C FDS4897C Виробник : ON Semiconductor fds4897c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+57.72 грн
14+44.70 грн
100+36.39 грн
500+30.71 грн
1000+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897C FDS4897C Виробник : onsemi / Fairchild FDS4897C_D-2313120.pdf MOSFETs 40V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 40632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.49 грн
10+55.41 грн
100+37.52 грн
500+34.90 грн
1000+33.53 грн
2500+25.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897C Виробник : Fairchild fds4897c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC FDS4897C TFDS4897C
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897C FDS4897C Виробник : ON Semiconductor 3676775004881201fds4897c.pdf Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.2A/4.4A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897C FDS4897C Виробник : onsemi fds4897c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A, 4.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4897C FDS4897C Виробник : onsemi fds4897c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A, 4.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.