Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > FDS4935A Fairchild
FDS4935A

FDS4935A Fairchild

fds4935a-datasheet.pdf
Код товару: 40550
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: Fairchild
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,023 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1233/15
Примітка: 2P
Монтаж: SMD
у наявності: 137 шт
  • 80 шт - склад
  • 33 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 12 шт
  • 12 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDS4935A за ціною від 25.18 грн до 111.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS4935A FDS4935A onsemi fds4935a-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.17 грн
5000+25.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935A FDS4935A ON-Semiconductor info-tfds4935a.pdf Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 7A; 2W; -55°C ~ 175°C; FDS4935A TFDS4935a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+42.19 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935A FDS4935A ON Semiconductor fds4935ad.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
656+53.81 грн
1000+49.63 грн
10000+44.25 грн
Мінімальне замовлення: 656 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935A FDS4935A ON Semiconductor fds4935ad.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
656+53.81 грн
Мінімальне замовлення: 656 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935A FDS4935A ON Semiconductor fds4935ad.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
232+60.95 грн
500+55.89 грн
1000+52.94 грн
2500+49.03 грн
5000+43.94 грн
Мінімальне замовлення: 232 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935A FDS4935A ONSEMI FDS4935A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+108.14 грн
6+79.16 грн
10+68.45 грн
50+47.95 грн
100+41.59 грн
125+39.91 грн
500+38.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935A FDS4935A onsemi fds4935a-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.84 грн
10+67.85 грн
100+45.22 грн
500+33.34 грн
1000+30.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935A FDS4935A onsemi fds4935a-d.pdf MOSFETs -30V Dual
на замовлення 13187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935A FDS4935A ONSEMI fds4935a-d.pdf Description: ONSEMI - FDS4935A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935A fds4935a-d.pdf
FDS4935A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+28.17 грн
5000+25.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935A info-tfds4935a.pdf
FDS4935A
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 7A; 2W; -55°C ~ 175°C; FDS4935A TFDS4935a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+42.19 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935A fds4935ad.pdf
FDS4935A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
656+53.81 грн
1000+49.63 грн
10000+44.25 грн
Мінімальне замовлення: 656 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935A fds4935ad.pdf
FDS4935A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
656+53.81 грн
Мінімальне замовлення: 656 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935A fds4935ad.pdf
FDS4935A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
232+60.95 грн
500+55.89 грн
1000+52.94 грн
2500+49.03 грн
5000+43.94 грн
Мінімальне замовлення: 232 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935A FDS4935A.pdf
FDS4935A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+108.14 грн
6+79.16 грн
10+68.45 грн
50+47.95 грн
100+41.59 грн
125+39.91 грн
500+38.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935A fds4935a-d.pdf
FDS4935A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.84 грн
10+67.85 грн
100+45.22 грн
500+33.34 грн
1000+30.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935A fds4935a-d.pdf
FDS4935A
Виробник: onsemi
MOSFETs -30V Dual
на замовлення 13187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935A fds4935a-d.pdf
FDS4935A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4935A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

HCPL-3120-300E
Код товару: 122265
Додати до обраних Обраний товар
oohcpl3120smd.pdf
HCPL-3120-300E
Виробник: Avago
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: SO-8
Тип: Драйвер затвора транзистора
Напруга ізоляції Uізол, кВ: 3,7 кВ
Час вмик/вимк Ton/Toff, µs: 0,5/0,5 µs
Робоча температура, °С: -40…+100°С
очікується: 400 шт
  • 400 шт - очікується 25.07.2026
на замовлення: 15 шт
  • 15 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+76.00 грн
10+69.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Макетна плата 6x8 одностороння, зелена
Код товару: 144390
7 Додати до обраних Обраний товар
Макетна плата 6x8 одностороння, зеленаМакетна плата 6x8 одностороння, зелена
Макетна плата 6x8 одностороння, зеленаМакетна плата 6x8 одностороння, зелена
Виробник: Global Tone
Макетні плати > Макетні плати під пайку
Габарити: 60x80 мм
Опис: Макетна плата одностороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 594 отвори під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: одностороння
у наявності: 670 шт
  • 514 шт - склад
  • 46 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 89 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 530 шт
  • 500 шт - очікується 14.01.2027
  • 30 шт - очікується
на замовлення: 1 шт
  • 1 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+24.00 грн
10+21.50 грн
100+19.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
0,1 Ohm 5% 1W 2512 (RL2512JK-0R1 – Hitano)
Код товару: 3427
2 Додати до обраних Обраний товар
rl_20190531-hitano.pdf
0,1 Ohm 5% 1W 2512 (RL2512JK-0R1 – Hitano)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 2512
Номінал: 0,1 Ом
Точність: ±5%
Pном, Вт: 1 Вт
Uном, В: 200 V (макс. 500 V при перевантаженні)
Типорозмір: 2512
у наявності: 2199 шт
  • 2059 шт - склад
  • 140 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 396 шт
  • 396 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+2.30 грн
100+2.00 грн
1000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2,2uF 50V ECR 5x11mm (ECR2R2M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 3112
3 Додати до обраних Обраний товар
ECR_081225.pdf
2,2uF 50V ECR 5x11mm (ECR2R2M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 2,2 мкФ
Номін. напруга: 50 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 5x11 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 3547 шт
  • 2824 шт - склад
  • 99 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 436 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 143 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 45 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 469 шт
  • 469 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+2.00 грн
17+1.20 грн
100+0.90 грн
1000+0.60 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100uF 50V ECR 8x12mm (ECR101M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2980
1 Додати до обраних Обраний товар
ECR_081225.pdf
100uF 50V ECR 8x12mm (ECR101M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 мкФ
Номін. напруга: 50 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 8x12 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 3142 шт
  • 3016 шт - склад
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 25 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 79 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
6+3.50 грн
10+2.80 грн
100+2.40 грн
1000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.