Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS4935BZ
FDS4935BZ

FDS4935BZ ON Semiconductor

3659396390398046fds4935bz.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS4935BZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDS4935BZ за ціною від 24.93 грн до 115.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS4935BZ FDS4935BZ Виробник : onsemi FAIRS24265-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.52 грн
5000+26.35 грн
7500+25.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ Виробник : ON Semiconductor fds4935bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.98 грн
5000+39.98 грн
7500+38.84 грн
10000+37.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ Виробник : ON Semiconductor fds4935bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
282+43.39 грн
290+42.29 грн
335+36.57 грн
340+34.71 грн
500+24.93 грн
Мінімальне замовлення: 282
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ Виробник : ONSEMI 2304012.pdf Description: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.79 грн
500+37.49 грн
1000+30.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ Виробник : ON Semiconductor fds4935bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+54.12 грн
16+46.48 грн
25+45.31 грн
100+37.92 грн
250+34.44 грн
500+25.64 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ Виробник : onsemi FAIRS24265-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 9901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.20 грн
10+67.05 грн
100+44.55 грн
500+32.75 грн
1000+29.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ Виробник : ONSEMI 2304012.pdf Description: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+112.59 грн
50+68.06 грн
100+50.79 грн
500+37.49 грн
1000+30.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ Виробник : onsemi / Fairchild FAIRS24265-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs 30V PCH DUAL POWER TRENCH M
на замовлення 33564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+115.33 грн
10+72.29 грн
100+41.81 грн
500+32.75 грн
1000+29.28 грн
2500+26.64 грн
5000+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ Виробник : Fairchild FAIRS24265-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Mosfet Array 2x P-Channel (Dual) 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC FDS4935BZ ONS TFDS4935bz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+34.75 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ Виробник : FAIRCHILD FAIRS24265-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
721+42.42 грн
1000+39.12 грн
10000+34.88 грн
Мінімальне замовлення: 721
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ Виробник : ON Semiconductor fds4935bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE7839D4615E259&compId=FDS4935BZ.pdf?ci_sign=f898175e0170281a1e8b688f0c50b08230c604de Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE7839D4615E259&compId=FDS4935BZ.pdf?ci_sign=f898175e0170281a1e8b688f0c50b08230c604de Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.