Продукція > ONSEMI > FDS4935BZ
FDS4935BZ

FDS4935BZ onsemi

FDS4935BZ-D.PDF Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.83 грн
5000+25.74 грн
7500+24.70 грн
12500+22.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS4935BZ onsemi

Description: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDS4935BZ за ціною від 24.60 грн до 128.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS4935BZ FDS4935BZ Виробник : ON Semiconductor 3659396390398046fds4935bz.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ Виробник : ON Semiconductor fds4935bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
720+44.36 грн
1000+40.91 грн
10000+36.48 грн
Мінімальне замовлення: 720
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ Виробник : ON Semiconductor fds4935bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
270+47.38 грн
271+47.18 грн
Мінімальне замовлення: 270
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ Виробник : ONSEMI 2304012.pdf Description: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+53.61 грн
500+39.03 грн
1000+32.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ Виробник : ON Semiconductor fds4935bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+60.34 грн
15+50.76 грн
25+50.55 грн
100+39.86 грн
250+27.86 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ Виробник : ONSEMI FDS4935BZ.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+64.47 грн
10+46.58 грн
25+38.87 грн
50+33.38 грн
100+29.11 грн
250+24.93 грн
500+24.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ Виробник : ONSEMI FDS4935BZ.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3492 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.36 грн
10+58.04 грн
25+46.64 грн
50+40.05 грн
100+34.93 грн
250+29.92 грн
500+29.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ Виробник : onsemi FDS4935BZ-D.PDF Description: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 23950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.30 грн
10+65.52 грн
100+43.52 грн
500+31.99 грн
1000+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ Виробник : onsemi FDS4935BZ-D.PDF MOSFETs 30V PCH DUAL POWER TRENCH M
на замовлення 35039 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+115.73 грн
10+72.07 грн
100+41.65 грн
500+32.67 грн
1000+29.76 грн
2500+26.53 грн
5000+26.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ Виробник : ONSEMI 2304012.pdf Description: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.06 грн
50+80.63 грн
100+53.61 грн
500+39.03 грн
1000+32.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ Виробник : Fairchild FDS4935BZ-D.PDF Mosfet Array 2x P-Channel (Dual) 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC FDS4935BZ ONS TFDS4935bz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+37.03 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ Виробник : ON Semiconductor fds4935bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.