Продукція > ONSEMI > FDS4935BZ
FDS4935BZ

FDS4935BZ onsemi

FDS4935BZ-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+25.82 грн
5000+23.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS4935BZ onsemi

Description: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції FDS4935BZ за ціною від 25.70 грн до 232.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS4935BZ FDS4935BZ Fairchild info-tfds4935bz.pdf Mosfet Array 2x P-Channel (Dual) 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC FDS4935BZ ONS TFDS4935bz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.03 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ ON Semiconductor fds4935bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
720+49.17 грн
1000+45.34 грн
10000+40.43 грн
Мінімальне замовлення: 720 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ ONSEMI 2304012.pdf Description: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.00 грн
500+45.97 грн
1000+41.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ ON Semiconductor fds4935bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.11 грн
14+54.65 грн
25+54.10 грн
100+33.13 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ ON Semiconductor fds4935bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+90.41 грн
500+53.20 грн
1000+47.97 грн
2500+40.91 грн
5000+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ ONSEMI FDS4935BZ.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3778 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+100.00 грн
10+64.17 грн
25+53.40 грн
50+46.60 грн
100+41.04 грн
250+34.99 грн
500+31.51 грн
1000+28.60 грн
2500+25.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ onsemi FDS4935BZ-D.PDF Description: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 13894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.06 грн
10+62.76 грн
100+41.69 грн
500+30.65 грн
1000+27.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ ONSEMI 2304012.pdf Description: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.08 грн
50+78.43 грн
100+63.00 грн
500+45.97 грн
1000+41.60 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ onsemi FDS4935BZ-D.PDF MOSFETs 30V PCH DUAL POWER TRENCH M
на замовлення 9499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ ON Semiconductor fds4935bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ On Semiconductor FD_FDS4935BZ.pdf MOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOIC Транзистори
на замовлення 3 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2+232.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ info-tfds4935bz.pdf
FDS4935BZ
Виробник: Fairchild
Mosfet Array 2x P-Channel (Dual) 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC FDS4935BZ ONS TFDS4935bz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+38.03 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ fds4935bz-d.pdf
FDS4935BZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
720+49.17 грн
1000+45.34 грн
10000+40.43 грн
Мінімальне замовлення: 720 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ 2304012.pdf
FDS4935BZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+63.00 грн
500+45.97 грн
1000+41.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ fds4935bz-d.pdf
FDS4935BZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+65.11 грн
14+54.65 грн
25+54.10 грн
100+33.13 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ fds4935bz-d.pdf
FDS4935BZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
157+90.41 грн
500+53.20 грн
1000+47.97 грн
2500+40.91 грн
5000+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ.pdf
FDS4935BZ
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3778 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+100.00 грн
10+64.17 грн
25+53.40 грн
50+46.60 грн
100+41.04 грн
250+34.99 грн
500+31.51 грн
1000+28.60 грн
2500+25.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ-D.PDF
FDS4935BZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 13894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+103.06 грн
10+62.76 грн
100+41.69 грн
500+30.65 грн
1000+27.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ 2304012.pdf
FDS4935BZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+106.08 грн
50+78.43 грн
100+63.00 грн
500+45.97 грн
1000+41.60 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ-D.PDF
FDS4935BZ
Виробник: onsemi
MOSFETs 30V PCH DUAL POWER TRENCH M
на замовлення 9499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ fds4935bz-d.pdf
FDS4935BZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FD_FDS4935BZ.pdf
Виробник: On Semiconductor
MOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOIC Транзистори
на замовлення 3 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+232.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.