Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS4935BZ
FDS4935BZ

FDS4935BZ ON Semiconductor

3659396390398046fds4935bz.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+27.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS4935BZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDS4935BZ за ціною від 22.17 грн до 107.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS4935BZ FDS4935BZ Виробник : onsemi FAIRS24265-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.78 грн
5000+25.68 грн
7500+24.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ Виробник : ON Semiconductor fds4935bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+38.89 грн
5000+37.49 грн
7500+35.98 грн
10000+34.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ Виробник : ONSEMI 2304012.pdf Description: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+45.72 грн
500+35.10 грн
1000+29.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ Виробник : ON Semiconductor fds4935bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
206+59.37 грн
210+58.34 грн
272+44.96 грн
283+41.70 грн
500+32.33 грн
1000+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 206
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ Виробник : ON Semiconductor fds4935bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+64.71 грн
11+55.13 грн
25+54.17 грн
100+40.26 грн
250+35.86 грн
500+28.82 грн
1000+22.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ Виробник : ONSEMI 2304012.pdf Description: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+74.61 грн
50+60.91 грн
100+47.45 грн
500+37.40 грн
1000+28.08 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ Виробник : ONSEMI FDS4935BZ.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+81.70 грн
10+45.83 грн
30+30.58 грн
81+28.89 грн
1000+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ Виробник : ONSEMI FDS4935BZ.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -6.9A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.04 грн
10+57.11 грн
30+36.69 грн
81+34.67 грн
1000+34.21 грн
2500+33.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ Виробник : onsemi / Fairchild FDS4935BZ_D-1808877.pdf MOSFETs 30V PCH DUAL POWER TRENCH M
на замовлення 31868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.14 грн
10+63.62 грн
100+39.80 грн
500+32.88 грн
1000+28.47 грн
2500+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ Виробник : onsemi FAIRS24265-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 9901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.43 грн
10+65.37 грн
100+43.43 грн
500+31.93 грн
1000+29.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ Виробник : Fairchild FAIRS24265-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Mosfet Array 2x P-Channel (Dual) 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC FDS4935BZ ONS TFDS4935bz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ Виробник : FAIRCHILD FAIRS24265-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
879+34.70 грн
1000+32.77 грн
Мінімальне замовлення: 879
В кошику  од. на суму  грн.