Продукція > ONSEMI > FDS4935BZ
FDS4935BZ

FDS4935BZ onsemi

FDS4935BZ-D.PDF Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.46 грн
5000+23.62 грн
7500+22.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS4935BZ onsemi

Description: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDS4935BZ за ціною від 23.36 грн до 117.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS4935BZ FDS4935BZ Виробник : ON Semiconductor fds4935bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
720+44.87 грн
1000+41.38 грн
10000+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 720
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ Виробник : ON Semiconductor fds4935bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
270+47.93 грн
271+47.72 грн
Мінімальне замовлення: 270
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ Виробник : ONSEMI 2304012.pdf Description: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.38 грн
500+35.95 грн
1000+29.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ Виробник : ON Semiconductor fds4935bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+61.04 грн
15+51.35 грн
25+51.13 грн
100+40.32 грн
250+28.18 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ Виробник : onsemi FDS4935BZ-D.PDF Description: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.83 грн
10+60.12 грн
100+39.94 грн
500+29.36 грн
1000+26.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ Виробник : onsemi FDS4935BZ-D.PDF MOSFETs 30V PCH DUAL POWER TRENCH M
на замовлення 19846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.49 грн
10+63.82 грн
100+36.88 грн
500+28.94 грн
1000+26.36 грн
2500+23.50 грн
5000+23.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ Виробник : ONSEMI FDS4935BZ-D.PDF Description: ONSEMI - FDS4935BZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.9 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+117.95 грн
50+74.27 грн
100+49.38 грн
500+35.95 грн
1000+29.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ Виробник : Fairchild FDS4935BZ-D.PDF Mosfet Array 2x P-Channel (Dual) 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC FDS4935BZ ONS TFDS4935bz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+37.94 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935BZ FDS4935BZ Виробник : ON Semiconductor fds4935bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.