Продукція > ONSEMI > FDS5690
FDS5690

FDS5690 onsemi

fds5690-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1107 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+27.97 грн
5000+25.65 грн
12500+24.47 грн
25000+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS5690 onsemi

Description: ONSEMI - FDS5690 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.028 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FDS5690 за ціною від 23.76 грн до 102.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDS5690 FDS5690 onsemi fds5690-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1107 pF @ 30 V
на замовлення 51346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.42 грн
10+53.28 грн
100+41.44 грн
500+32.96 грн
1000+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5690 FDS5690 onsemi / Fairchild FDS5690_D-2313063.pdf MOSFETs SO-8 N-CH 60V
на замовлення 16036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.04 грн
10+57.19 грн
100+38.64 грн
500+32.79 грн
1000+26.66 грн
2500+23.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5690 FDS5690 ONSEMI fds5690-d.pdf Description: ONSEMI - FDS5690 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.028 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.06 грн
13+64.53 грн
100+42.99 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5690 FAIRCHILD fds5690-d.pdf SO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5690 fds5690-d.pdf
FDS5690
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1107 pF @ 30 V
на замовлення 51346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+67.42 грн
10+53.28 грн
100+41.44 грн
500+32.96 грн
1000+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5690 FDS5690_D-2313063.pdf
FDS5690
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SO-8 N-CH 60V
на замовлення 16036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+71.04 грн
10+57.19 грн
100+38.64 грн
500+32.79 грн
1000+26.66 грн
2500+23.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5690 fds5690-d.pdf
FDS5690
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS5690 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.028 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+102.06 грн
13+64.53 грн
100+42.99 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5690 fds5690-d.pdf
Виробник: FAIRCHILD
SO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.