на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 16.11 грн |
| 5000+ | 15.95 грн |
| 12500+ | 15.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS5690 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDS5690 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Інші пропозиції FDS5690 за ціною від 16.34 грн до 86.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDS5690 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS5690 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1107 pF @ 30 V |
на замовлення 47500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS5690 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS5690 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.022 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS5690 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1107 pF @ 30 V |
на замовлення 51346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS5690 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SO-8 N-CH 60V |
на замовлення 16036 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS5690 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS5690 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.022 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDS5690 | Виробник : FAIRCHILD |
SO-8 |
на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| FDS5690 | Виробник : FDS |
SOP-8 |
на замовлення 550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| FDS5690 | Виробник : FAIRCHILD |
SOP-8 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| FDS5690 | Виробник : Fairchild |
|
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| FDS5690 | Виробник : FAIRCHILD |
09+ |
на замовлення 5018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| FDS5690 | Виробник : FAIRCHILD |
07+ SO-8 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| FDS5690 | Виробник : FAIRCHIL |
09+ SOP8 |
на замовлення 1850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| FDS5690 | Виробник : FAIR |
SOP8 |
на замовлення 538 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| FDS5690 | Виробник : FAI |
99+ |
на замовлення 2450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
|
FDS5690 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |



