Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDS6162N3
FDS6162N3

FDS6162N3 Fairchild Semiconductor

FAIRS44561-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 21A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5521 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 21A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 33137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
171+127.39 грн
Мінімальне замовлення: 171
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6162N3 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 20V 21A 8SO, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5521 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Supplier Device Package: 8-SO, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 21A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Bulk.

Інші пропозиції FDS6162N3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS6162N3 Виробник : FAIRCHILD FAIRS44561-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw SO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.