Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDS6298

FDS6298 Fairchild Semiconductor

Name: FDS6298
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 35165163-3
Price: 22443.40 UAH
Availability: InStock

FAIRS24656-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 15 V

на замовлення 244466 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
574+	39.10 грн

Мінімальне замовлення: 574

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FDS6298 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDS6298

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
FDS6298	Виробник : onsemi	Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR)	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
FDS6298	Виробник : onsemi	Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT)	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
FDS6298	Виробник : onsemi / Fairchild	MOSFET 30V N-CH Fast SwitCH PwrTrenCH MOSFET	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.