Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDS6299S
FDS6299S

FDS6299S Fairchild Semiconductor

FAIRS25900-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3880 pF @ 15 V
на замовлення 25342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+151.15 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6299S Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3880 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 21A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDS6299S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS6299S Виробник : FAIRCHILD FAIRS25900-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS6299S.pdf
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6299S FDS6299S Виробник : onsemi FDS6299S.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3880 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.