на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 25.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS6375 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDS6375 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDS6375 за ціною від 21.26 грн до 108.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS6375 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 20V 8A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2694 pF @ 10 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS6375 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6375 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6375 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6375 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS6375 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6375 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6375 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS6375 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET SO-8 P-CH -20V |
на замовлення 62823 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6375 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2694 pF @ 10 V |
на замовлення 16667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6375 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6375 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDS6375 | Виробник : Fairchild |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 39mOhm; 8A; 2,5W; -55°C ~ 175°C; FDS6375 TFDS6375 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FDS6375 | Виробник : ONSEMI |
FDS6375 SMD P channel transistors |
на замовлення 1616 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
FDS6375 Код товару: 34124
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Fairchild |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 20 V Id,A: 8 А Rds(on),Om: 0,024 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2694/26 Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6375 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |