Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS6375
FDS6375

FDS6375 ON Semiconductor

fds6375cn-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6375 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS6375 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDS6375 за ціною від 22.24 грн до 91.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS6375 FDS6375 Виробник : ON Semiconductor fds6375cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+24.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS6375 FDS6375 Виробник : ON Semiconductor fds6375cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+24.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS6375 FDS6375 Виробник : onsemi fds6375-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2694 pF @ 10 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+25.08 грн
5000+ 23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS6375 FDS6375 Виробник : ONSEMI 2304203.pdf Description: ONSEMI - FDS6375 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+40.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS6375 FDS6375 Виробник : onsemi fds6375-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2694 pF @ 10 V
на замовлення 9699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+60.51 грн
10+ 47.79 грн
100+ 37.16 грн
500+ 29.56 грн
1000+ 24.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS6375 FDS6375 Виробник : onsemi / Fairchild FDS6375_D-2313153.pdf MOSFET SO-8 P-CH -20V
на замовлення 62823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.03 грн
10+ 53.07 грн
100+ 35.89 грн
500+ 30.43 грн
1000+ 24.77 грн
2500+ 23.37 грн
5000+ 22.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS6375 FDS6375 Виробник : ONSEMI 2304203.pdf Description: ONSEMI - FDS6375 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+72.24 грн
14+ 56.48 грн
100+ 40.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDS6375 FDS6375 Виробник : ONSEMI FDS6375.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 36nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SO8
на замовлення 1810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+76.2 грн
9+ 42.45 грн
25+ 32.42 грн
69+ 30.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS6375 FDS6375 Виробник : ONSEMI FDS6375.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.5W; SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 36nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1810 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+91.44 грн
5+ 52.9 грн
25+ 38.91 грн
69+ 36.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS6375 Виробник : Fairchild fds6375-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 39mOhm; 8A; 2,5W; -55°C ~ 175°C; FDS6375 TFDS6375
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+22.58 грн
Мінімальне замовлення: 25
FDS6375 FDS6375
Код товару: 34124 		Виробник : Fairchild FD%2FFDS6375.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Id,A: 8 А
Rds(on),Om: 0,024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2694/26
Монтаж: SMD
товар відсутній
FDS6375 FDS6375 Виробник : ON Semiconductor fds6375cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS6375 FDS6375 Виробник : ON Semiconductor fds6375cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній