Продукція > FAIRCHILD > FDS6375
FDS6375

FDS6375 Fairchild

info-tfds6375.pdf
Виробник: Fairchild
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 39mOhm; 8A; 2,5W; -55°C ~ 175°C; FDS6375 TFDS6375
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6375 Fairchild

Description: ONSEMI - FDS6375 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm.

Інші пропозиції FDS6375 за ціною від 22.46 грн до 81.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS6375 FDS6375 ONSEMI FDS6375.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 39mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
на замовлення 758 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+72.32 грн
8+56.55 грн
10+49.58 грн
50+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375 FDS6375 onsemi fds6375-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2694 pF @ 10 V
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.37 грн
10+49.03 грн
100+32.18 грн
500+23.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375 FDS6375 ONSEMI fds6375-d.pdf Description: ONSEMI - FDS6375 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 7735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.97 грн
50+54.16 грн
100+39.14 грн
500+28.43 грн
1000+22.46 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375 FDS6375 onsemi / Fairchild FDS6375_D-2313153.pdf MOSFET SO-8 P-CH -20V
на замовлення 62823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375 FDS6375.pdf
FDS6375
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 39mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
на замовлення 758 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+72.32 грн
8+56.55 грн
10+49.58 грн
50+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375 fds6375-d.pdf
FDS6375
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2694 pF @ 10 V
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.37 грн
10+49.03 грн
100+32.18 грн
500+23.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375 fds6375-d.pdf
FDS6375
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6375 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 7735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+81.97 грн
50+54.16 грн
100+39.14 грн
500+28.43 грн
1000+22.46 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375 FDS6375_D-2313153.pdf
FDS6375
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET SO-8 P-CH -20V
на замовлення 62823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.