Продукція > FAIRCHILD > FDS6375
FDS6375

FDS6375 Fairchild

info-tfds6375.pdf
Виробник: Fairchild
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 39mOhm; 8A; 2,5W; -55°C ~ 175°C; FDS6375 TFDS6375
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+24.21 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 28-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 28 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6375 Fairchild

Description: ONSEMI - FDS6375 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm.

Інші пропозиції FDS6375 за ціною від 25.13 грн до 74.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS6375 FDS6375 ON Semiconductor fds6375cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375 FDS6375 ON Semiconductor fds6375cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375 FDS6375 ON Semiconductor fds6375cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375 FDS6375 ON Semiconductor fds6375cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+52.83 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375 FDS6375 ON Semiconductor fds6375cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.57 грн
15+52.83 грн
25+52.44 грн
100+40.30 грн
250+36.97 грн
500+30.72 грн
1000+26.95 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375 FDS6375 onsemi / Fairchild FDS6375_D-2313153.pdf MOSFET SO-8 P-CH -20V
на замовлення 62823 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
5+73.47 грн
10+59.96 грн
100+40.55 грн
500+34.38 грн
1000+27.99 грн
2500+26.41 грн
5000+25.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375 FDS6375 ONSEMI FDS6375.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 39mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
на замовлення 758 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+74.06 грн
8+57.90 грн
10+50.77 грн
50+36.08 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375 FDS6375 ONSEMI 2304203.pdf Description: ONSEMI - FDS6375 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 32880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375 FDS6375 ONSEMI 2304203.pdf Description: ONSEMI - FDS6375 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 32880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375 fds6375cn-d.pdf
FDS6375
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+30.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375 fds6375cn-d.pdf
FDS6375
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+33.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375 fds6375cn-d.pdf
FDS6375
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+50.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375 fds6375cn-d.pdf
FDS6375
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
278+52.83 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375 fds6375cn-d.pdf
FDS6375
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+67.57 грн
15+52.83 грн
25+52.44 грн
100+40.30 грн
250+36.97 грн
500+30.72 грн
1000+26.95 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375 FDS6375_D-2313153.pdf
FDS6375
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET SO-8 P-CH -20V
на замовлення 62823 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+73.47 грн
10+59.96 грн
100+40.55 грн
500+34.38 грн
1000+27.99 грн
2500+26.41 грн
5000+25.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375 FDS6375.pdf
FDS6375
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 39mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
на замовлення 758 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+74.06 грн
8+57.90 грн
10+50.77 грн
50+36.08 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375 2304203.pdf
FDS6375
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6375 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 32880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6375 2304203.pdf
FDS6375
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6375 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 32880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.