FDS6574A

FDS6574A onsemi


ONSM-S-A0003585454-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC
на замовлення 3747 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6574A onsemi

Description: ONSEMI - FDS6574A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 16 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, Dauer-Drainstrom Id: 16, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 2.5, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600, Verlustleistung: 2.5, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).

Інші пропозиції FDS6574A за ціною від 28.8 грн до 28.8 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS6574A FDS6574A Виробник : onsemi / Fairchild FDS6574A_D-2312909.pdf MOSFET SO-8
на замовлення 2891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDS6574A FDS6574A Виробник : onsemi ONSM-S-A0003585454-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS6574A Виробник : Fairchild ONSM-S-A0003585454-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 9mOhm; 16A; 2,5W; -55°C ~ 175°C; FDS6574A TFDS6574a
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+28.8 грн
Мінімальне замовлення: 25
FDS6574A
Код товару: 175545
ONSM-S-A0003585454-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDS6574A FDS6574A Виробник : ON Semiconductor fds6574a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS6574A FDS6574A Виробник : ONSEMI 2299538.pdf Description: ONSEMI - FDS6574A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 16 A, 0.004 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 16
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDS6574A FDS6574A Виробник : ONSEMI FDS6574A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 16A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDS6574A FDS6574A Виробник : ONSEMI FDS6574A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 16A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній