Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS6575
FDS6575

FDS6575 ON Semiconductor

fds6575cn-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+37.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6575 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS6575 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDS6575 за ціною від 33.45 грн до 110.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS6575 FDS6575 Виробник : onsemi fds6575-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4951 pF @ 10 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+37.8 грн
5000+ 34.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS6575 FDS6575 Виробник : ON Semiconductor fds6575cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+40.17 грн
5000+ 38.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS6575 FDS6575 Виробник : ON Semiconductor fds6575cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+40.2 грн
5000+ 38.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS6575 FDS6575 Виробник : ON Semiconductor fds6575cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
136+86.25 грн
138+ 85.39 грн
174+ 67.29 грн
250+ 64.24 грн
500+ 38.43 грн
Мінімальне замовлення: 136
FDS6575 FDS6575 Виробник : onsemi fds6575-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4951 pF @ 10 V
на замовлення 11678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+91.72 грн
10+ 71.98 грн
100+ 55.99 грн
500+ 44.54 грн
1000+ 36.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS6575 FDS6575 Виробник : ON Semiconductor fds6575cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+97.37 грн
10+ 80.09 грн
25+ 79.29 грн
100+ 60.25 грн
250+ 55.23 грн
500+ 34.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS6575 FDS6575 Виробник : onsemi / Fairchild FDS6575_D-2312933.pdf MOSFET SO-8 P-CH -20V
на замовлення 5632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+98.92 грн
10+ 80.61 грн
100+ 54.01 грн
500+ 45.6 грн
1000+ 36.65 грн
2500+ 35.12 грн
5000+ 33.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS6575 FDS6575 Виробник : ONSEMI 2304813.pdf Description: ONSEMI - FDS6575 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+110.84 грн
10+ 84.63 грн
100+ 61.79 грн
500+ 48.47 грн
1000+ 34.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDS6575 FDS6575 Виробник : ON Semiconductor fds6575cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS6575 FDS6575 Виробник : ONSEMI fds6575-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDS6575 FDS6575 Виробник : ONSEMI fds6575-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній