FDS6575 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4951 pF @ 10 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 41.05 грн |
| 5000+ | 37.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS6575 onsemi
Description: ONSEMI - FDS6575 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDS6575 за ціною від 35.42 грн до 120.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS6575 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6575 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6575 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6575 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6575 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6575 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6575 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4951 pF @ 10 V |
на замовлення 11678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS6575 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6575 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS6575 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SO-8 P-CH -20V |
на замовлення 3051 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6575 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
FDS6575 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |