Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS6575
FDS6575

FDS6575 ON Semiconductor

fds6575cn-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6575 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS6575 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDS6575 за ціною від 35.55 грн до 126.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS6575 FDS6575 Виробник : onsemi fds6575-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4951 pF @ 10 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.45 грн
5000+38.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575 FDS6575 Виробник : ON Semiconductor fds6575cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.69 грн
5000+39.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575 FDS6575 Виробник : ON Semiconductor fds6575cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.72 грн
5000+39.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575 FDS6575 Виробник : ON Semiconductor fds6575cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
136+89.50 грн
138+88.61 грн
174+69.83 грн
250+66.66 грн
500+39.88 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575 FDS6575 Виробник : onsemi fds6575-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4951 pF @ 10 V
на замовлення 11678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.58 грн
10+78.93 грн
100+61.40 грн
500+48.84 грн
1000+39.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575 FDS6575 Виробник : ON Semiconductor fds6575cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+101.04 грн
10+83.10 грн
25+82.28 грн
100+62.52 грн
250+57.31 грн
500+35.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575 FDS6575 Виробник : ONSEMI 2304813.pdf Description: ONSEMI - FDS6575 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+111.70 грн
10+92.81 грн
100+66.20 грн
500+48.81 грн
1000+40.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575 FDS6575 Виробник : onsemi / Fairchild FDS6575_D-1808560.pdf MOSFETs SO-8 P-CH -20V
на замовлення 3051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.42 грн
10+99.35 грн
100+58.79 грн
500+46.64 грн
1000+42.32 грн
2500+38.44 грн
5000+37.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575 FDS6575 Виробник : ON Semiconductor fds6575cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575 Виробник : ONSEMI fds6575-d.pdf FDS6575 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.