Продукція > ONSEMI > FDS6575
FDS6575

FDS6575 onsemi

fds6575-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4951 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+40.55 грн
5000+37.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6575 onsemi

Description: ONSEMI - FDS6575 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDS6575 за ціною від 38.93 грн до 104.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS6575 FDS6575 ON Semiconductor fds6575cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.56 грн
5000+46.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575 FDS6575 ON Semiconductor fds6575cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.33 грн
5000+49.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575 FDS6575 ON Semiconductor fds6575cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
431+82.07 грн
500+73.87 грн
1000+68.12 грн
Мінімальне замовлення: 431 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575 FDS6575 ON Semiconductor fds6575cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
431+82.07 грн
500+73.87 грн
1000+68.12 грн
Мінімальне замовлення: 431 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575 FDS6575 ON Semiconductor fds6575cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+91.08 грн
5000+80.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575 FDS6575 onsemi fds6575-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4951 pF @ 10 V
на замовлення 11678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.41 грн
10+77.23 грн
100+60.08 грн
500+47.79 грн
1000+38.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575 FDS6575 ON Semiconductor fds6575cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+104.25 грн
138+103.21 грн
174+81.33 грн
250+77.65 грн
500+46.45 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575 FDS6575 onsemi / Fairchild FDS6575_D-1808560.pdf MOSFETs SO-8 P-CH -20V
на замовлення 3051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575 FDS6575 ONSEMI 2304813.pdf Description: ONSEMI - FDS6575 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575 FDS6575 ON Semiconductor fds6575cn-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575 fds6575cn-d.pdf
FDS6575
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+48.56 грн
5000+46.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575 fds6575cn-d.pdf
FDS6575
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+52.33 грн
5000+49.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575 fds6575cn-d.pdf
FDS6575
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
431+82.07 грн
500+73.87 грн
1000+68.12 грн
Мінімальне замовлення: 431 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575 fds6575cn-d.pdf
FDS6575
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
431+82.07 грн
500+73.87 грн
1000+68.12 грн
Мінімальне замовлення: 431 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575 fds6575cn-d.pdf
FDS6575
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+91.08 грн
5000+80.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575 fds6575-d.pdf
FDS6575
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4951 pF @ 10 V
на замовлення 11678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+98.41 грн
10+77.23 грн
100+60.08 грн
500+47.79 грн
1000+38.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575 fds6575cn-d.pdf
FDS6575
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
136+104.25 грн
138+103.21 грн
174+81.33 грн
250+77.65 грн
500+46.45 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575 FDS6575_D-1808560.pdf
FDS6575
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SO-8 P-CH -20V
на замовлення 3051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575 2304813.pdf
FDS6575
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6575 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6575 fds6575cn-d.pdf
FDS6575
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.