Продукція > ONSEMI > FDS6576
FDS6576

FDS6576 onsemi

fds6576-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4044 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+33.52 грн
5000+30.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6576 onsemi

Description: MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4044 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDS6576 за ціною від 31.98 грн до 80.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS6576 FDS6576 onsemi / Fairchild FDS6576_D-2313224.pdf MOSFETs SO-8 P-CH -20V
на замовлення 7603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.15 грн
10+65.78 грн
100+45.22 грн
500+38.95 грн
1000+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6576 FDS6576 onsemi fds6576-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4044 pF @ 10 V
на замовлення 7030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.73 грн
10+63.85 грн
100+49.66 грн
500+39.51 грн
1000+32.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6576 FDS6576_D-2313224.pdf
FDS6576
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SO-8 P-CH -20V
на замовлення 7603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+80.15 грн
10+65.78 грн
100+45.22 грн
500+38.95 грн
1000+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6576 fds6576-d.pdf
FDS6576
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4044 pF @ 10 V
на замовлення 7030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+80.73 грн
10+63.85 грн
100+49.66 грн
500+39.51 грн
1000+32.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.