Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS6612A
FDS6612A

FDS6612A ON Semiconductor

fds6612a-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+26.57 грн
28+26.13 грн
50+24.77 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6612A ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDS6612A за ціною від 10.27 грн до 87.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS6612A FDS6612A Виробник : ON Semiconductor fds6612a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 47011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
869+35.61 грн
1000+32.85 грн
10000+29.28 грн
Мінімальне замовлення: 869
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A FDS6612A Виробник : ON Semiconductor fds6612a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
869+35.61 грн
1000+32.85 грн
Мінімальне замовлення: 869
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A FDS6612A Виробник : ON Semiconductor fds6612a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 6380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
869+35.61 грн
1000+32.85 грн
Мінімальне замовлення: 869
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A FDS6612A Виробник : ON Semiconductor fds6612a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
869+35.61 грн
1000+32.85 грн
10000+29.28 грн
Мінімальне замовлення: 869
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A FDS6612A Виробник : ON Semiconductor fds6612a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
869+35.61 грн
1000+32.85 грн
10000+29.28 грн
Мінімальне замовлення: 869
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A FDS6612A Виробник : ON Semiconductor fds6612a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
869+35.61 грн
1000+32.85 грн
10000+29.28 грн
Мінімальне замовлення: 869
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A FDS6612A Виробник : ON Semiconductor fds6612a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
869+35.61 грн
1000+32.85 грн
10000+29.28 грн
Мінімальне замовлення: 869
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A FDS6612A Виробник : ONSEMI 2304579.pdf Description: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+79.94 грн
17+49.88 грн
100+37.85 грн
500+26.58 грн
1000+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A
Код товару: 137932
Додати до обраних Обраний товар

fds6612a-d.pdf e5c1e7743ecb413dd5d018a87a70686b.pdf FAIRS24630-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A FDS6612A Виробник : ONSEMI 2304579.pdf Description: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+26.58 грн
1000+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A FDS6612A Виробник : ON Semiconductor fds6612a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
408+30.37 грн
Мінімальне замовлення: 408
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A FDS6612A Виробник : Fairchild Semiconductor FAIRS24630-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 138927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
625+33.60 грн
Мінімальне замовлення: 625
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A FDS6612A Виробник : UMW e5c1e7743ecb413dd5d018a87a70686b.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.46 грн
13+25.24 грн
100+16.18 грн
500+11.47 грн
1000+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A FDS6612A Виробник : onsemi fds6612a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.38 грн
10+53.08 грн
100+35.02 грн
500+25.59 грн
1000+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A FDS6612A Виробник : onsemi / Fairchild FDS6612A-D.PDF MOSFETs SO-8 N-CH 30V
на замовлення 3831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+87.90 грн
10+54.17 грн
100+33.52 грн
500+26.12 грн
1000+23.70 грн
2500+23.18 грн
5000+22.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A FDS6612A Виробник : ON Semiconductor fds6612a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A FDS6612A Виробник : ON Semiconductor fds6612a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A FDS6612A Виробник : onsemi fds6612a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A FDS6612A Виробник : UMW e5c1e7743ecb413dd5d018a87a70686b.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A FDS6612A Виробник : ONSEMI fds6612a-d.pdf e5c1e7743ecb413dd5d018a87a70686b.pdf FAIRS24630-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.4A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.