FDS6612A onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 24.30 грн |
| 5000+ | 22.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS6612A onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDS6612A за ціною від 18.81 грн до 75.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS6612A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6612A - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 141427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS6612A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6612A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6612A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm |
на замовлення 1948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS6612A | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET SO-8 N-CH 30V |
на замовлення 12435 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6612A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V |
на замовлення 11257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6612A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm |
на замовлення 1948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDS6612A Код товару: 137932
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
 |
FDS6612A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FDS6612A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FDS6612A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
FDS6612A | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.4A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 37mΩ Drain current: 8.4A Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FDS6612A | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.4A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 37mΩ Drain current: 8.4A Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
товару немає в наявності |