Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDS6612A

FDS6612A

fds6612a-d.pdf e5c1e7743ecb413dd5d018a87a70686b.pdf FAIRS24630-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Код товару: 137932
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDS6612A за ціною від 9.86 грн до 95.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS6612A FDS6612A Fairchild Semiconductor FAIRS24630-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 138927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
625+32.25 грн
Мінімальне замовлення: 625 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A FDS6612A UMW e5c1e7743ecb413dd5d018a87a70686b.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.76 грн
13+24.23 грн
100+15.53 грн
500+11.01 грн
1000+9.86 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A FDS6612A ON Semiconductor fds6612a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 6380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
867+40.81 грн
1000+37.63 грн
Мінімальне замовлення: 867 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A FDS6612A ON Semiconductor fds6612a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
867+40.81 грн
1000+37.63 грн
10000+33.56 грн
Мінімальне замовлення: 867 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A FDS6612A ON Semiconductor fds6612a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
867+40.81 грн
1000+37.63 грн
10000+33.56 грн
Мінімальне замовлення: 867 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A FDS6612A ON Semiconductor fds6612a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
867+40.81 грн
1000+37.63 грн
10000+33.56 грн
Мінімальне замовлення: 867 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A FDS6612A ON Semiconductor fds6612a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
867+40.81 грн
1000+37.63 грн
Мінімальне замовлення: 867 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A FDS6612A ON Semiconductor fds6612a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 47011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
867+40.81 грн
1000+37.63 грн
10000+33.56 грн
Мінімальне замовлення: 867 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A FDS6612A onsemi / Fairchild FDS6612A-D.PDF MOSFETs SO-8 N-CH 30V
на замовлення 3831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.12 грн
10+50.00 грн
100+30.93 грн
500+24.11 грн
1000+21.88 грн
2500+21.39 грн
5000+20.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A FDS6612A onsemi fds6612a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.87 грн
10+50.95 грн
100+33.61 грн
500+24.56 грн
1000+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A FDS6612A ONSEMI 2304579.pdf Description: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.92 грн
50+60.31 грн
100+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A FDS6612A ONSEMI 2304579.pdf Description: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 362 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A FAIRS24630-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS6612A
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 138927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
625+32.25 грн
Мінімальне замовлення: 625 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A e5c1e7743ecb413dd5d018a87a70686b.pdf
FDS6612A
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.76 грн
13+24.23 грн
100+15.53 грн
500+11.01 грн
1000+9.86 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A fds6612a-d.pdf
FDS6612A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 6380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
867+40.81 грн
1000+37.63 грн
Мінімальне замовлення: 867 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A fds6612a-d.pdf
FDS6612A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
867+40.81 грн
1000+37.63 грн
10000+33.56 грн
Мінімальне замовлення: 867 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A fds6612a-d.pdf
FDS6612A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
867+40.81 грн
1000+37.63 грн
10000+33.56 грн
Мінімальне замовлення: 867 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A fds6612a-d.pdf
FDS6612A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
867+40.81 грн
1000+37.63 грн
10000+33.56 грн
Мінімальне замовлення: 867 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A fds6612a-d.pdf
FDS6612A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
867+40.81 грн
1000+37.63 грн
Мінімальне замовлення: 867 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A fds6612a-d.pdf
FDS6612A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 47011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
867+40.81 грн
1000+37.63 грн
10000+33.56 грн
Мінімальне замовлення: 867 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A FDS6612A-D.PDF
FDS6612A
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SO-8 N-CH 30V
на замовлення 3831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+81.12 грн
10+50.00 грн
100+30.93 грн
500+24.11 грн
1000+21.88 грн
2500+21.39 грн
5000+20.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A fds6612a-d.pdf
FDS6612A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+83.87 грн
10+50.95 грн
100+33.61 грн
500+24.56 грн
1000+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A 2304579.pdf
FDS6612A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+95.92 грн
50+60.31 грн
100+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A 2304579.pdf
FDS6612A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 362 шт
В кошику  од. на суму  грн.