Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS6612A

FDS6612A ON Semiconductor

Name: FDS6612A
Brand: ON Semiconductor
SKU: 376412-5
Price: 739.53 UAH
Availability: InStock

Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
27+	27.39 грн
28+	26.93 грн
50+	25.54 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FDS6612A ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDS6612A за ціною від 10.84 грн до 92.74 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

FDS6612A

Виробник : ONSEMI

Description: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1828 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
500+	28.04 грн
1000+	23.51 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

FDS6612A

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 2110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
408+	31.30 грн

Мінімальне замовлення: 408

В кошику од. на суму грн.

FDS6612A

Виробник : Fairchild Semiconductor

FAIRS24630-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V

на замовлення 138927 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
625+	35.46 грн

Мінімальне замовлення: 625

В кошику од. на суму грн.

FDS6612A

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 47011 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
869+	36.71 грн
1000+	33.86 грн
10000+	30.19 грн

Мінімальне замовлення: 869

В кошику од. на суму грн.

FDS6612A

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 6380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
869+	36.71 грн
1000+	33.86 грн

Мінімальне замовлення: 869

В кошику од. на суму грн.

FDS6612A

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 12389 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
869+	36.71 грн
1000+	33.86 грн
10000+	30.19 грн

Мінімальне замовлення: 869

В кошику од. на суму грн.

FDS6612A

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
869+	36.71 грн
1000+	33.86 грн
10000+	30.19 грн

Мінімальне замовлення: 869

В кошику од. на суму грн.

FDS6612A

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
869+	36.71 грн
1000+	33.86 грн
10000+	30.19 грн

Мінімальне замовлення: 869

В кошику од. на суму грн.

FDS6612A

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 27500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
869+	36.71 грн
1000+	33.86 грн
10000+	30.19 грн

Мінімальне замовлення: 869

В кошику од. на суму грн.

FDS6612A

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 8135 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
869+	36.71 грн
1000+	33.86 грн

Мінімальне замовлення: 869

В кошику од. на суму грн.

FDS6612A

Виробник : UMW

Description: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 2957 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	44.80 грн
13+	26.63 грн
100+	17.07 грн
500+	12.10 грн
1000+	10.84 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

FDS6612A

Виробник : ONSEMI

на замовлення 1828 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
11+	84.35 грн
17+	52.63 грн
100+	39.94 грн
500+	28.04 грн
1000+	23.51 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

FDS6612A

Виробник : onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V

на замовлення 3150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	92.19 грн
10+	56.01 грн
100+	36.95 грн
500+	27.00 грн
1000+	24.53 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

FDS6612A

Виробник : onsemi / Fairchild

MOSFETs SO-8 N-CH 30V

на замовлення 3831 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	92.74 грн
10+	57.16 грн
100+	35.37 грн
500+	27.56 грн
1000+	25.01 грн
2500+	24.45 грн
5000+	23.98 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

FDS6612A
Код товару: 137932

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDS6612A

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

FDS6612A

Виробник : onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDS6612A

Виробник : UMW

Description: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

FDS6612A

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.