Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDS6614A
FDS6614A

FDS6614A Fairchild Semiconductor

FAIRS16169-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
на замовлення 25863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
310+70.21 грн
Мінімальне замовлення: 310
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6614A Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8SOIC, Packaging: Bulk, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width).

Інші пропозиції FDS6614A за ціною від 95.88 грн до 134.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS6614A FDS6614A Виробник : ON Semiconductor 3658239297890818fds6614a.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
264+134.36 грн
500+121.40 грн
1000+111.53 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6614A FDS6614A Виробник : ON Semiconductor 3658239297890818fds6614a.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
264+134.36 грн
500+121.40 грн
1000+111.53 грн
10000+95.88 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6614A FDS6614A Виробник : ON Semiconductor 3658239297890818fds6614a.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
264+134.36 грн
500+121.40 грн
1000+111.53 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6614A FDS6614A Виробник : ON Semiconductor 3658239297890818fds6614a.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
264+134.36 грн
500+121.40 грн
1000+111.53 грн
10000+95.88 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6614A Виробник : FAIRCHILD FAIRS16169-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS6614A.pdf SO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6614A FDS6614A Виробник : onsemi FDS6614A.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6614A FDS6614A Виробник : onsemi / Fairchild FDS6614A-1300588.pdf MOSFET SO-8 N-CH 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.