Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS6670A
FDS6670A

FDS6670A ON Semiconductor

fds6670ajp-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6670A ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDS6670A за ціною від 14.27 грн до 88.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS6670A FDS6670A Виробник : ONSEMI FAIRS25119-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDS6670A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 108108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670A FDS6670A Виробник : ON Semiconductor fds6670a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
195+63.96 грн
197+63.29 грн
284+43.84 грн
287+41.84 грн
500+28.75 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670A FDS6670A Виробник : ON Semiconductor fds6670a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+72.56 грн
11+68.52 грн
25+67.81 грн
100+45.30 грн
250+41.51 грн
500+29.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670A FDS6670A Виробник : onsemi fds6670a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.62 грн
10+57.82 грн
100+38.56 грн
500+28.23 грн
1000+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670A FDS6670A Виробник : onsemi / Fairchild FDS6670A-D.pdf MOSFETs SO-8 N-CH 30V
на замовлення 6399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+88.04 грн
10+63.21 грн
100+37.42 грн
500+29.19 грн
1000+26.47 грн
2500+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670A Виробник : Fairchild fds6670a-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 14mOhm; 13A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6670A TFDS6670a
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+14.27 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670A FDS6670A Виробник : ON Semiconductor fds6670a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670A FDS6670A Виробник : onsemi fds6670a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.