Продукція > FAIRCHILD > FDS6670A
FDS6670A

FDS6670A Fairchild

info-tfds6670a.pdf
Виробник: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 14mOhm; 13A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6670A TFDS6670a
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6670A Fairchild

Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDS6670A за ціною від 20.58 грн до 90.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS6670A FDS6670A Виробник : ONSEMI FAIRS25119-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDS6670A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 108108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670A FDS6670A Виробник : ON Semiconductor fds6670a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+31.78 грн
5000+31.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670A FDS6670A Виробник : ON Semiconductor fds6670a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
812+39.85 грн
1000+36.76 грн
Мінімальне замовлення: 812
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670A FDS6670A Виробник : ON Semiconductor fds6670a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 77497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
812+39.85 грн
1000+36.76 грн
10000+32.77 грн
Мінімальне замовлення: 812
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670A FDS6670A Виробник : ON Semiconductor fds6670a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
812+39.85 грн
1000+36.76 грн
Мінімальне замовлення: 812
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670A FDS6670A Виробник : ON Semiconductor fds6670a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 265173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
812+39.85 грн
1000+36.76 грн
10000+32.77 грн
100000+26.48 грн
Мінімальне замовлення: 812
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670A FDS6670A Виробник : ON Semiconductor fds6670a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
812+39.85 грн
Мінімальне замовлення: 812
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670A FDS6670A Виробник : ON Semiconductor fds6670a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 44659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
812+39.85 грн
1000+36.76 грн
10000+32.77 грн
Мінімальне замовлення: 812
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670A FDS6670A Виробник : ON Semiconductor fds6670a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 6711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
812+39.85 грн
1000+36.76 грн
Мінімальне замовлення: 812
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670A FDS6670A Виробник : ON Semiconductor fds6670a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
812+39.85 грн
1000+36.76 грн
Мінімальне замовлення: 812
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670A FDS6670A Виробник : ON Semiconductor fds6670a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
812+39.85 грн
1000+36.76 грн
Мінімальне замовлення: 812
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670A FDS6670A Виробник : ON Semiconductor fds6670a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
812+39.85 грн
1000+36.76 грн
Мінімальне замовлення: 812
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670A FDS6670A Виробник : onsemi fds6670a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.60 грн
10+53.50 грн
100+35.68 грн
500+26.12 грн
1000+23.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670A FDS6670A Виробник : onsemi fds6670a-d.pdf MOSFETs SO-8 N-CH 30V
на замовлення 16437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.25 грн
10+56.00 грн
100+32.26 грн
500+25.21 грн
1000+22.86 грн
2500+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670A FDS6670A Виробник : ON Semiconductor fds6670a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670A FDS6670A Виробник : onsemi fds6670a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670A Виробник : ONSEMI fds6670a-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 50A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.