Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDS6672A
FDS6672A

FDS6672A Fairchild Semiconductor

FAIRS16150-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 15 V
на замовлення 259608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
182+110.03 грн
Мінімальне замовлення: 182
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6672A Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDS6672A за ціною від 121.33 грн до 121.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS6672A FDS6672A Виробник : ONSEMI FAIRS16150-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDS6672A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 259608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
218+121.33 грн
Мінімальне замовлення: 218
FDS6672A Виробник : FAIRCHILD FAIRS16150-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS6672A.pdf
на замовлення 674 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS6672A Виробник : FAIRCHILD FAIRS16150-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS6672A.pdf 09+
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS6672A Виробник : FAIRCHILD FAIRS16150-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS6672A.pdf SO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS6672A Виробник : FSC FAIRS16150-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS6672A.pdf
на замовлення 9400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS6672A Виробник : FSC FAIRS16150-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS6672A.pdf 09+ SO-8
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS6672A FDS6672A Виробник : onsemi FDS6672A.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 15 V
товар відсутній