Продукція > ONSEMI > FDS6673BZ
FDS6673BZ

FDS6673BZ onsemi

fds6673bz-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.41 грн
5000+29.89 грн
7500+28.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6673BZ onsemi

Description: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDS6673BZ за ціною від 31.38 грн до 122.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS6673BZ FDS6673BZ Виробник : ON Semiconductor fds6673bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
613+52.06 грн
1000+48.01 грн
10000+42.81 грн
Мінімальне замовлення: 613
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZ FDS6673BZ Виробник : ONSEMI FDS6673BZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -14.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+78.63 грн
10+57.50 грн
25+51.44 грн
100+43.14 грн
250+38.42 грн
500+37.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZ FDS6673BZ Виробник : ONSEMI FDS6673BZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -14.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.36 грн
10+71.65 грн
25+61.73 грн
100+51.77 грн
250+46.10 грн
500+45.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZ FDS6673BZ Виробник : onsemi / Fairchild FDS6673BZ-D.PDF MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2073 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+121.73 грн
10+80.33 грн
100+47.71 грн
500+37.60 грн
1000+34.33 грн
2500+31.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZ FDS6673BZ Виробник : onsemi fds6673bz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 10845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.35 грн
10+74.67 грн
100+49.91 грн
500+36.87 грн
1000+33.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZ FDS6673BZ Виробник : ON Semiconductor fds6673bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZ Виробник : ON-Semiconductor fds6673bz-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 12mOhm; 14,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6673BZ TFDS6673bz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+34.85 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZ FDS6673BZ
Код товару: 109121
Додати до обраних Обраний товар

fds6673bz-d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZ FDS6673BZ Виробник : ON Semiconductor 3663078394016089fds6673bz.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZ FDS6673BZ Виробник : ON Semiconductor fds6673bz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.