FDS6673BZ Fairchild
Код товару: 109121
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові P-канальні
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS6673BZ Fairchild
- Transistor
- Transistor Polarity:P Channel
- Continuous Drain Current, Id:14.5mA
- Drain Source Voltage, Vds:30V
- On Resistance, Rds(on):0.0078ohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
- Threshold Voltage, Vgs Typ:1.9V
Інші пропозиції FDS6673BZ за ціною від 31.06 грн до 121.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS6673BZ | onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FDS6673BZ | ON-Semiconductor |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 12mOhm; 14,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6673BZ TFDS6673bz кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FDS6673BZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDS6673BZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FDS6673BZ | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14.5A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Power dissipation: 2.5W Gate charge: 65nC Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® Drain current: -14.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -30V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±25V Kind of package: reel; tape Case: SO8 On-state resistance: 12mΩ |
на замовлення 1370 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDS6673BZ | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V |
на замовлення 4933 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FDS6673BZ | onsemi |
MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 7710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
FDS6673BZ | onsemi / Fairchild |
MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 2073 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
FDS6673BZ | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDS6673BZ |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 31.06 грн |
| FDS6673BZ |
|
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 12mOhm; 14,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6673BZ TFDS6673bz
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 12mOhm; 14,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6673BZ TFDS6673bz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 35.83 грн |
| FDS6673BZ |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 267+ | 52.93 грн |
| 500+ | 48.58 грн |
| 1000+ | 47.92 грн |
| FDS6673BZ |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 613+ | 57.58 грн |
| 1000+ | 53.10 грн |
| 10000+ | 47.35 грн |
| FDS6673BZ |
|
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14.5A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Gate charge: 65nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -14.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 12mΩ
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14.5A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Gate charge: 65nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -14.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 12mΩ
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 100.28 грн |
| 10+ | 64.93 грн |
| 25+ | 55.11 грн |
| 100+ | 43.34 грн |
| 250+ | 38.60 грн |
| FDS6673BZ |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 4933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 121.84 грн |
| 10+ | 74.28 грн |
| 100+ | 49.64 грн |
| 500+ | 36.68 грн |
| 1000+ | 33.49 грн |
| FDS6673BZ |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 7710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDS6673BZ |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2073 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDS6673BZ |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)