Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > FDS6673BZ
FDS6673BZ

FDS6673BZ

fds6673bz-d.pdf
Код товару: 109121
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6673BZ

  • Transistor
  • Transistor Polarity:P Channel
  • Continuous Drain Current, Id:14.5mA
  • Drain Source Voltage, Vds:30V
  • On Resistance, Rds(on):0.0078ohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
  • Threshold Voltage, Vgs Typ:1.9V

Інші пропозиції FDS6673BZ за ціною від 26.73 грн до 118.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDS6673BZ FDS6673BZ onsemi fds6673bz-d.pdf description Description: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.87 грн
5000+26.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZ FDS6673BZ ON-Semiconductor info-tfds6673bz.pdf description Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 12mOhm; 14,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6673BZ TFDS6673bz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+36.71 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZ FDS6673BZ ON Semiconductor fds6673bz-d.pdf description Trans MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
267+53.17 грн
500+48.80 грн
1000+48.14 грн
Мінімальне замовлення: 267 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZ FDS6673BZ ONSEMI FDS6673BZ.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -14.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+98.44 грн
10+63.74 грн
25+54.10 грн
100+42.55 грн
250+37.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZ FDS6673BZ onsemi / Fairchild FDS6673BZ-D.PDF description MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2073 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.51 грн
10+69.62 грн
100+41.35 грн
500+32.58 грн
1000+29.75 грн
2500+27.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZ FDS6673BZ onsemi fds6673bz-d.pdf description Description: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 6580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.27 грн
10+71.42 грн
100+47.74 грн
500+35.27 грн
1000+32.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZ FDS6673BZ onsemi fds6673bz-d.pdf description MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 7710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.39 грн
10+65.10 грн
100+41.35 грн
500+34.52 грн
1000+30.03 грн
2500+27.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZ FDS6673BZ ON Semiconductor fds6673bz-d.pdf description Trans MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZ description fds6673bz-d.pdf
FDS6673BZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+29.87 грн
5000+26.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZ description info-tfds6673bz.pdf
FDS6673BZ
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 12mOhm; 14,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6673BZ TFDS6673bz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+36.71 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZ description fds6673bz-d.pdf
FDS6673BZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
267+53.17 грн
500+48.80 грн
1000+48.14 грн
Мінімальне замовлення: 267 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZ description FDS6673BZ.pdf
FDS6673BZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -14.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+98.44 грн
10+63.74 грн
25+54.10 грн
100+42.55 грн
250+37.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZ description FDS6673BZ-D.PDF
FDS6673BZ
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2073 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+105.51 грн
10+69.62 грн
100+41.35 грн
500+32.58 грн
1000+29.75 грн
2500+27.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZ description fds6673bz-d.pdf
FDS6673BZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 6580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+117.27 грн
10+71.42 грн
100+47.74 грн
500+35.27 грн
1000+32.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZ description fds6673bz-d.pdf
FDS6673BZ
Виробник: onsemi
MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 7710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+118.39 грн
10+65.10 грн
100+41.35 грн
500+34.52 грн
1000+30.03 грн
2500+27.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6673BZ description fds6673bz-d.pdf
FDS6673BZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.