FDS6673BZ onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 34.23 грн |
| 5000+ | 31.39 грн |
| 12500+ | 29.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS6673BZ onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDS6673BZ за ціною від 28.83 грн до 87.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS6673BZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDS6673BZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V |
на замовлення 25444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDS6673BZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET -30V P-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 3256 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDS6673BZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| FDS6673BZ | Виробник : ON-Semicoductor |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 12mOhm; 14,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6673BZ TFDS6673bz кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
FDS6673BZ Код товару: 109121 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
 |
FDS6673BZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FDS6673BZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
FDS6673BZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14.5A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -14.5A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 65nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FDS6673BZ | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14.5A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -14.5A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 65nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |