 
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 5+ | 73.52 грн | 
| 10+ | 44.39 грн | 
| 100+ | 29.05 грн | 
| 500+ | 21.04 грн | 
| 1000+ | 19.04 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS6675 UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15. 
Інші пропозиції FDS6675 за ціною від 39.00 грн до 118.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | FDS6675 | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - FDS6675 - MOSFET, P SO-8 REEL 2500 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 4252 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||
|   | FDS6675 | Виробник : onsemi |  Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V | на замовлення 211 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||
|   | FDS6675 | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 464 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||
| FDS6675 | Виробник : FAI |    00+ | на замовлення 3056 шт:термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||
| FDS6675 | Виробник : FAI |    2001 SMD | на замовлення 185 шт:термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||
| FDS6675 | Виробник : FAIRCHILD |    09+ | на замовлення 50 шт:термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||
| FDS6675 | Виробник : FAIRCHILD |    SO-8 | на замовлення 41000 шт:термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||
| FDS6675 | Виробник : FDS |    SOP-8 | на замовлення 2000 шт:термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||
| FDS6675 | Виробник : FSC |     | на замовлення 2100 шт:термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||
| FDS6675 Код товару: 160949 
            
                            Додати до обраних
                Обраний товар
                 |    Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | 
 | ||||||
|   | FDS6675 | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | |||||
|   | FDS6675 | Виробник : onsemi |  Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 | товару немає в наявності | |||||
|   | FDS6675 | Виробник : UMW |  Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | |||||
|   | FDS6675 | Виробник : onsemi / Fairchild |  MOSFETs SO-8 P-CH -30V | товару немає в наявності |