
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 74.46 грн |
10+ | 45.07 грн |
100+ | 29.49 грн |
500+ | 21.37 грн |
1000+ | 19.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS6675 UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.
Інші пропозиції FDS6675 за ціною від 39.00 грн до 117.49 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDS6675 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 4252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
FDS6675 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V |
на замовлення 464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
FDS6675 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
FDS6675 | Виробник : FAI |
![]() ![]() |
на замовлення 3056 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
FDS6675 | Виробник : FAI |
![]() ![]() |
на замовлення 185 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
FDS6675 | Виробник : FAIRCHILD |
![]() ![]() |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
FDS6675 | Виробник : FAIRCHILD |
![]() ![]() |
на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
FDS6675 | Виробник : FDS |
![]() ![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
FDS6675 | Виробник : FSC |
![]() ![]() |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
FDS6675 Код товару: 160949
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() ![]() |
товару немає в наявності
|
|
||||||
![]() |
FDS6675 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
FDS6675 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
FDS6675 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
FDS6675 | Виробник : UMW |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
FDS6675 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товару немає в наявності |