Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDS6676AS
FDS6676AS

FDS6676AS Fairchild Semiconductor

FAIRS26365-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 15 V
на замовлення 5369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
567+38.94 грн
Мінімальне замовлення: 567
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6676AS Fairchild Semiconductor

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDS6676AS

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS6676AS FDS6676AS Виробник : ON Semiconductor fds6676as-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676AS FDS6676AS Виробник : ON Semiconductor fds6676as-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676AS Виробник : ON Semiconductor fds6676as-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676AS FDS6676AS Виробник : onsemi fds6676as-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676AS FDS6676AS Виробник : onsemi fds6676as-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6676AS FDS6676AS Виробник : onsemi / Fairchild FDS6676AS_D-2313095.pdf MOSFET 30V NCH POWER TRENCH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.