Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDS6680S
FDS6680S

FDS6680S Fairchild Semiconductor

FAIRS29289-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
на замовлення 37578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
579+38.75 грн
Мінімальне замовлення: 579
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6680S Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 11.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDS6680S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS6680S Виробник : FAIRCHIL FAIRS29289-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS6680.pdf 09+ SOP8
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680S Виробник : FAIRCHILD FAIRS29289-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS6680.pdf 07+ SO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680S Виробник : FAIRCHILD FAIRS29289-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS6680.pdf 09+
на замовлення 518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680S Виробник : FAIRCHILD FAIRS29289-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS6680.pdf SO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680S FDS6680S Виробник : ON Semiconductor 1068132708952194fds6680s.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680S FDS6680S Виробник : onsemi FDS6680.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680S FDS6680S Виробник : onsemi / Fairchild FDS6680S-1300555.pdf MOSFET SO-8 SGL N-CH 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.