Продукція > ON-SEMICONDUCTOR > FDS6681Z
FDS6681Z

FDS6681Z ON-Semiconductor

info-tfds6681z.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 6,5mOhm; 20A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6681Z TFDS6681z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+77.99 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6681Z ON-Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm.

Інші пропозиції FDS6681Z за ціною від 62.75 грн до 214.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDS6681Z FDS6681Z ON Semiconductor fds6681z-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+91.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FDS6681Z ON Semiconductor fds6681z-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+91.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FDS6681Z onsemi FDS6681Z-D.PDF MOSFETs 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 14181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.15 грн
10+129.40 грн
100+78.01 грн
500+64.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FDS6681Z onsemi FDS6681Z-D.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.14 грн
10+129.68 грн
100+89.48 грн
500+67.84 грн
1000+64.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FDS6681Z ONSEMI FDS6681Z-D.PDF Description: ONSEMI - FDS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
на замовлення 6734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+210.21 грн
50+136.92 грн
100+95.04 грн
500+72.99 грн
1000+66.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FDS6681Z onsemi / Fairchild FDS6681Z-D.PDF MOSFETs 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 38464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+212.62 грн
10+135.76 грн
100+81.46 грн
500+67.72 грн
1000+62.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FDS6681Z ONSEMI FDS6681Z.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3155 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+214.77 грн
5+159.55 грн
10+140.43 грн
50+104.70 грн
100+93.07 грн
250+81.43 грн
500+74.79 грн
1000+73.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FDS6681Z ONSEMI 2298621.pdf Description: ONSEMI - FDS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z fds6681z-d.pdf
FDS6681Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+91.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z fds6681z-d.pdf
FDS6681Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+91.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FDS6681Z-D.PDF
FDS6681Z
Виробник: onsemi
MOSFETs 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 14181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+202.15 грн
10+129.40 грн
100+78.01 грн
500+64.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FDS6681Z-D.PDF
FDS6681Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+208.14 грн
10+129.68 грн
100+89.48 грн
500+67.84 грн
1000+64.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FDS6681Z-D.PDF
FDS6681Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
на замовлення 6734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+210.21 грн
50+136.92 грн
100+95.04 грн
500+72.99 грн
1000+66.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FDS6681Z-D.PDF
FDS6681Z
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 38464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+212.62 грн
10+135.76 грн
100+81.46 грн
500+67.72 грн
1000+62.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FDS6681Z.pdf
FDS6681Z
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3155 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+214.77 грн
5+159.55 грн
10+140.43 грн
50+104.70 грн
100+93.07 грн
250+81.43 грн
500+74.79 грн
1000+73.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z 2298621.pdf
FDS6681Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.