Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS6681Z
FDS6681Z

FDS6681Z ON Semiconductor

fds6681z-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+62.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6681Z ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDS6681Z за ціною від 58.86 грн до 207.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS6681Z FDS6681Z Виробник : onsemi FAIR-S-A0002366371-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+66.36 грн
5000+63.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FDS6681Z Виробник : ON Semiconductor fds6681z-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+67.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FDS6681Z Виробник : ON Semiconductor 1836585069704166fds6681z.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+70.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FDS6681Z Виробник : ON Semiconductor fds6681z-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+106.42 грн
500+102.87 грн
1000+97.04 грн
2500+87.16 грн
5000+78.13 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FDS6681Z Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC9160CF734259&compId=FDS6681Z.pdf?ci_sign=23431460e74dc4e5bb29f6b596ca377800e34c1e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 260nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: SO8
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+131.06 грн
10+86.93 грн
15+63.50 грн
39+59.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FDS6681Z Виробник : ON Semiconductor fds6681z-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+155.49 грн
10+128.75 грн
25+127.47 грн
100+100.25 грн
250+89.17 грн
500+71.89 грн
1000+58.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FDS6681Z Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFC9160CF734259&compId=FDS6681Z.pdf?ci_sign=23431460e74dc4e5bb29f6b596ca377800e34c1e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 260nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+157.27 грн
10+108.33 грн
15+76.19 грн
39+71.66 грн
2500+68.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FDS6681Z Виробник : ON Semiconductor fds6681z-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
73+167.45 грн
88+138.65 грн
89+137.28 грн
109+107.96 грн
250+96.03 грн
500+77.42 грн
1000+63.39 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FDS6681Z Виробник : onsemi FAIR-S-A0002366371-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
на замовлення 16163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.81 грн
10+133.19 грн
100+94.06 грн
500+71.32 грн
1000+65.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FDS6681Z Виробник : onsemi / Fairchild FDS6681Z_D-1808885.pdf MOSFETs 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 92928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.11 грн
10+137.69 грн
100+89.98 грн
500+73.29 грн
1000+69.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FDS6681Z Виробник : ONSEMI 2298621.pdf Description: ONSEMI - FDS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+207.58 грн
50+144.90 грн
100+108.27 грн
500+80.88 грн
1000+68.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z Виробник : ON-Semicoductor FAIR-S-A0002366371-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 6,5mOhm; 20A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6681Z TFDS6681z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+67.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FDS6681Z Виробник : ON Semiconductor 1836585069704166fds6681z.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FDS6681Z Виробник : ON Semiconductor fds6681z-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.