Продукція > ON-SEMICONDUCTOR > FDS6681Z
FDS6681Z

FDS6681Z ON-Semiconductor

info-tfds6681z.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 6,5mOhm; 20A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6681Z TFDS6681z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+76.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6681Z ON-Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm.

Інші пропозиції FDS6681Z за ціною від 65.44 грн до 216.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS6681Z FDS6681Z ON Semiconductor fds6681z-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+78.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FDS6681Z ON Semiconductor fds6681z-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+90.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FDS6681Z ON Semiconductor fds6681z-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+91.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FDS6681Z ON Semiconductor fds6681z-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+100.80 грн
500+97.22 грн
1000+95.13 грн
2500+90.31 грн
5000+82.59 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FDS6681Z ON Semiconductor fds6681z-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.33 грн
10+139.71 грн
25+138.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FDS6681Z onsemi FDS6681Z-D.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.59 грн
10+130.59 грн
100+90.11 грн
500+68.32 грн
1000+65.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FDS6681Z ONSEMI FDS6681Z.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3155 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+216.28 грн
5+160.66 грн
10+141.42 грн
50+105.43 грн
100+93.72 грн
250+82.00 грн
500+75.31 грн
1000+74.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FDS6681Z onsemi FDS6681Z-D.PDF MOSFETs 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 14181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FDS6681Z onsemi / Fairchild FDS6681Z-D.PDF MOSFETs 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 38464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FDS6681Z ONSEMI FDS6681Z-D.PDF Description: ONSEMI - FDS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
на замовлення 6734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FDS6681Z ON Semiconductor fds6681z-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FDS6681Z ONSEMI 2298621.pdf Description: ONSEMI - FDS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z fds6681z-d.pdf
FDS6681Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+78.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z fds6681z-d.pdf
FDS6681Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+90.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z fds6681z-d.pdf
FDS6681Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+91.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z fds6681z-d.pdf
FDS6681Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+100.80 грн
500+97.22 грн
1000+95.13 грн
2500+90.31 грн
5000+82.59 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z fds6681z-d.pdf
FDS6681Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+147.33 грн
10+139.71 грн
25+138.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FDS6681Z-D.PDF
FDS6681Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+209.59 грн
10+130.59 грн
100+90.11 грн
500+68.32 грн
1000+65.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FDS6681Z.pdf
FDS6681Z
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3155 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+216.28 грн
5+160.66 грн
10+141.42 грн
50+105.43 грн
100+93.72 грн
250+82.00 грн
500+75.31 грн
1000+74.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FDS6681Z-D.PDF
FDS6681Z
Виробник: onsemi
MOSFETs 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 14181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FDS6681Z-D.PDF
FDS6681Z
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 38464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z FDS6681Z-D.PDF
FDS6681Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
на замовлення 6734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z fds6681z-d.pdf
FDS6681Z
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z 2298621.pdf
FDS6681Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.