на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 72.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS6681Z ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDS6681Z за ціною від 70.79 грн до 248.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS6681Z | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 30V 20A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDS6681Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDS6681Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDS6681Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDS6681Z | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDS6681Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 93 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDS6681Z | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 9664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDS6681Z | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V |
на замовлення 16163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDS6681Z | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 30V P-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 38464 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDS6681Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 93 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| FDS6681Z | Виробник : ON-Semiconductor |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 6,5mOhm; 20A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6681Z TFDS6681z кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| FDS6681Z | Виробник : ONSEMI |
FDS6681Z SMD P channel transistors |
на замовлення 2622 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
FDS6681Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
FDS6681Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |