FDS6682 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V
на замовлення 4160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
764+ | 25.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS6682 onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDS6682 за ціною від 37.6 грн до 75.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDS6682 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
FDS6682 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
FDS6682 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET SO-8 |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
FDS6682 | Виробник : FAI | 04+ |
на замовлення 966 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FDS6682 | Виробник : FAIRCHIL | 09+ SOP8 |
на замовлення 1002 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FDS6682 | Виробник : Fairchild |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
FDS6682 | Виробник : FAIRCHILD | 07+ SO-8 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FDS6682 | Виробник : FAIRCHILD | 09+ |
на замовлення 7518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FDS6682 | Виробник : FAIRCHILD | SO-8 |
на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FDS6682 | Виробник : FDS | SOP-8 |
на замовлення 2580 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FDS6682 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||
FDS6682 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||
FDS6682 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; Idm: 50A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 14A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
FDS6682 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V |
товар відсутній |
||||||||||||
FDS6682 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; Idm: 50A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 14A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |