Продукція > ONSEMI > FDS6682
FDS6682

FDS6682 onsemi

ONSM-S-A0003584662-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V
на замовлення 4160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
764+28.66 грн
Мінімальне замовлення: 764
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6682 onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDS6682 за ціною від 41.64 грн до 84.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS6682 FDS6682 Виробник : ON Semiconductor fds6682-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+55.82 грн
5000+47.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6682 FDS6682 Виробник : ON Semiconductor fds6682-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+60.11 грн
5000+51.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6682 FDS6682 Виробник : onsemi / Fairchild FDS6682_D-1808396.pdf MOSFET SO-8
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.11 грн
10+74.37 грн
100+50.39 грн
500+41.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6682 Виробник : FAI ONSM-S-A0003584662-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 04+
на замовлення 966 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6682 Виробник : FAIRCHIL ONSM-S-A0003584662-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 09+ SOP8
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6682 Виробник : Fairchild ONSM-S-A0003584662-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6682 Виробник : FAIRCHILD ONSM-S-A0003584662-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6682 Виробник : FAIRCHILD ONSM-S-A0003584662-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 09+
на замовлення 7518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6682 Виробник : FAIRCHILD ONSM-S-A0003584662-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw SO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6682 Виробник : FDS ONSM-S-A0003584662-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw SOP-8
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6682 FDS6682 Виробник : ON Semiconductor 3656637940238393fds6682.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6682 Виробник : ON Semiconductor 3656637940238393fds6682.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6682 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584662-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; Idm: 50A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6682 FDS6682 Виробник : onsemi ONSM-S-A0003584662-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6682 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584662-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; Idm: 50A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.