Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDS6685
FDS6685

FDS6685 Fairchild Semiconductor

FAIRS16161-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1604 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
на замовлення 19131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
217+99.88 грн
Мінімальне замовлення: 217
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6685 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Bulk, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1604 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta).

Інші пропозиції FDS6685 за ціною від 126.11 грн до 141.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS6685 FDS6685 Виробник : ON Semiconductor fds6685.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 6215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+141.44 грн
500+133.18 грн
1000+126.11 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6685 FDS6685 Виробник : ON Semiconductor fds6685.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+141.44 грн
500+133.18 грн
1000+126.11 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6685 FDS6685 Виробник : ON Semiconductor fds6685.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+141.44 грн
500+133.18 грн
1000+126.11 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6685 FDS6685 Виробник : ON Semiconductor fds6685.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+141.44 грн
500+133.18 грн
1000+126.11 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6685 Виробник : FAIRCHILD FAIRS16161-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS6685.pdf SO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6685 FDS6685 Виробник : onsemi FDS6685.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1604 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6685 FDS6685 Виробник : onsemi / Fairchild FAIRS16161-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS6685.pdf MOSFET SO-8 SGL P-CH -30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.