Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDS6688
FDS6688

FDS6688 Fairchild Semiconductor

FAIRS44340-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3888 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 24404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
281+77.44 грн
Мінімальне замовлення: 281
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6688 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3888 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Bulk.

Інші пропозиції FDS6688 за ціною від 105.97 грн до 148.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS6688 FDS6688 Виробник : ON Semiconductor fds6688.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
239+148.51 грн
500+133.18 грн
1000+123.76 грн
Мінімальне замовлення: 239
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6688 FDS6688 Виробник : ON Semiconductor fds6688.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
239+148.51 грн
500+133.18 грн
1000+123.76 грн
10000+105.97 грн
Мінімальне замовлення: 239
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6688 FDS6688 Виробник : ON Semiconductor fds6688.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
239+148.51 грн
500+133.18 грн
1000+123.76 грн
Мінімальне замовлення: 239
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6688 FDS6688 Виробник : ON Semiconductor fds6688.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
239+148.51 грн
500+133.18 грн
1000+123.76 грн
Мінімальне замовлення: 239
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6688 Виробник : FAIRCHILD FAIRS44340-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS6688.pdf SO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6688 FDS6688 Виробник : onsemi FDS6688.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3888 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.