Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 > FDS6690A

FDS6690A

fds6690a-d.pdf
Код товару: 52356
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDS6690A за ціною від 15.71 грн до 94.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDS6690A FDS6690A ON-Semiconductor info-tfds6690a.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 22mOhm; 11A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6690A TFDS6690a
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.71 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A FDS6690A ON Semiconductor fds6690a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 102500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.73 грн
5000+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A FDS6690A ON Semiconductor fds6690a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 102500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.73 грн
5000+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A FDS6690A ON Semiconductor fds6690a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
422+33.61 грн
1000+32.59 грн
2500+28.99 грн
5000+25.82 грн
Мінімальне замовлення: 422 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A FDS6690A ONSEMI 2304182.pdf Description: ONSEMI - FDS6690A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.16 грн
500+32.83 грн
1000+29.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A FDS6690A ONSEMI FDS6690A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+64.43 грн
9+47.20 грн
11+40.72 грн
50+29.00 грн
100+25.84 грн
500+21.27 грн
1000+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A FDS6690A onsemi / Fairchild fds6690a-d.pdf MOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.69 грн
10+49.06 грн
100+29.62 грн
500+24.09 грн
1000+21.68 грн
2500+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A FDS6690A onsemi fds6690a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.21 грн
10+52.05 грн
100+34.22 грн
500+24.95 грн
1000+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A FDS6690A ONSEMI fds6690a-d.pdf Description: ONSEMI - FDS6690A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.23 грн
50+45.67 грн
100+34.71 грн
500+28.12 грн
1000+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A info-tfds6690a.pdf
FDS6690A
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 22mOhm; 11A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6690A TFDS6690a
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
50+15.71 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A fds6690a-d.pdf
FDS6690A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 102500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+28.73 грн
5000+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A fds6690a-d.pdf
FDS6690A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 102500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+28.73 грн
5000+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A fds6690a-d.pdf
FDS6690A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
422+33.61 грн
1000+32.59 грн
2500+28.99 грн
5000+25.82 грн
Мінімальне замовлення: 422 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A 2304182.pdf
FDS6690A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6690A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+36.16 грн
500+32.83 грн
1000+29.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A FDS6690A.pdf
FDS6690A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+64.43 грн
9+47.20 грн
11+40.72 грн
50+29.00 грн
100+25.84 грн
500+21.27 грн
1000+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A fds6690a-d.pdf
FDS6690A
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+66.69 грн
10+49.06 грн
100+29.62 грн
500+24.09 грн
1000+21.68 грн
2500+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A fds6690a-d.pdf
FDS6690A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+86.21 грн
10+52.05 грн
100+34.22 грн
500+24.95 грн
1000+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A fds6690a-d.pdf
FDS6690A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6690A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+94.23 грн
50+45.67 грн
100+34.71 грн
500+28.12 грн
1000+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.