Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS6690A
FDS6690A

FDS6690A ON Semiconductor

fds6690a-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+18.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6690A ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDS6690A за ціною від 14.83 грн до 61.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS6690A FDS6690A Виробник : ON Semiconductor fds6690a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+20.86 грн
5000+ 19.95 грн
12500+ 18.68 грн
25000+ 17.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS6690A FDS6690A Виробник : ON Semiconductor fds6690a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+22.5 грн
5000+ 21.51 грн
12500+ 20.15 грн
25000+ 19.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS6690A FDS6690A Виробник : ONSEMI 2304182.pdf Description: ONSEMI - FDS6690A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
на замовлення 16750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+32.68 грн
500+ 25.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS6690A FDS6690A Виробник : ONSEMI FDS6690A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+43.72 грн
25+ 34.68 грн
33+ 24.56 грн
90+ 23.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDS6690A FDS6690A Виробник : onsemi fds6690a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
на замовлення 1854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.16 грн
10+ 43.55 грн
100+ 30.18 грн
500+ 23.66 грн
1000+ 20.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS6690A FDS6690A Виробник : ONSEMI FDS6690A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2289 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.46 грн
25+ 43.21 грн
33+ 29.48 грн
90+ 27.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS6690A FDS6690A Виробник : onsemi / Fairchild FDS6690A_D-2313000.pdf MOSFET SO-8 SGL N-CH 30V
на замовлення 25350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.87 грн
10+ 48.46 грн
100+ 29.13 грн
500+ 24.31 грн
1000+ 20.67 грн
2500+ 18.43 грн
5000+ 18.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS6690A FDS6690A Виробник : ONSEMI 2304182.pdf Description: ONSEMI - FDS6690A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
на замовлення 16750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+61.43 грн
15+ 51.72 грн
100+ 32.68 грн
500+ 25.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
FDS6690A Виробник : ON-Semicoductor fds6690a-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 22mOhm; 11A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6690A TFDS6690a
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+14.83 грн
Мінімальне замовлення: 50
FDS6690A FDS6690A
Код товару: 52356 		fds6690a-d.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
FDS6690A FDS6690A Виробник : ON Semiconductor fds6690a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS6690A FDS6690A Виробник : ON Semiconductor fds6690a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS6690A FDS6690A Виробник : onsemi fds6690a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
товар відсутній