на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 19.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS6690A ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDS6690A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDS6690A за ціною від 14.17 грн до 90.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDS6690A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS6690A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS6690A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS6690A | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V |
на замовлення 225 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS6690A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6690A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0125 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS6690A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V |
на замовлення 7098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDS6690A | Виробник : ON-Semicoductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 22mOhm; 11A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6690A TFDS6690aкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDS6690A | Виробник : ONSEMI |
FDS6690A SMD N channel transistors |
на замовлення 2196 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDS6690A Код товару: 52356
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||
|
FDS6690A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
FDS6690A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
FDS6690A | Виробник : UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
FDS6690A | Виробник : UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |






