Продукція > ONSEMI > FDS6690A
FDS6690A

FDS6690A onsemi

fds6690a-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.14 грн
5000+18.79 грн
7500+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6690A onsemi

Description: ONSEMI - FDS6690A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDS6690A за ціною від 15.33 грн до 81.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS6690A FDS6690A Виробник : ON Semiconductor fds6690a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+27.28 грн
5000+27.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A FDS6690A Виробник : ON Semiconductor fds6690a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
357+36.22 грн
373+34.68 грн
500+28.57 грн
1000+24.97 грн
Мінімальне замовлення: 357
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A FDS6690A Виробник : onsemi / Fairchild fds6690a-d.pdf MOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.35 грн
10+49.55 грн
100+29.91 грн
500+24.33 грн
1000+21.89 грн
2500+18.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A FDS6690A Виробник : ONSEMI fds6690a-d.pdf Description: ONSEMI - FDS6690A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+72.48 грн
50+54.09 грн
100+37.58 грн
500+28.33 грн
1000+23.57 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A FDS6690A Виробник : onsemi fds6690a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
на замовлення 8084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.58 грн
10+49.25 грн
100+32.45 грн
500+23.66 грн
1000+21.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A Виробник : ON-Semiconductor fds6690a-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 22mOhm; 11A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6690A TFDS6690a
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A FDS6690A
Код товару: 52356
Додати до обраних Обраний товар

fds6690a-d.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A FDS6690A Виробник : ON Semiconductor fds6690a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A FDS6690A Виробник : ON Semiconductor fds6690a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.