Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 > FDS6690A

FDS6690A

fds6690a-d.pdf c77f4c4cbafb05b6f83564ed6334c58e.pdf
Код товару: 52356
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDS6690A за ціною від 10.95 грн до 102.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS6690A FDS6690A UMW c77f4c4cbafb05b6f83564ed6334c58e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.01 грн
9000+10.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A FDS6690A ON-Semiconductor info-tfds6690a.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 22mOhm; 11A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6690A TFDS6690a
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.47 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A FDS6690A ON Semiconductor fds6690a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A FDS6690A ON Semiconductor fds6690a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A FDS6690A UMW c77f4c4cbafb05b6f83564ed6334c58e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
на замовлення 2675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.54 грн
10+33.05 грн
50+24.17 грн
100+19.99 грн
500+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A FDS6690A ON Semiconductor fds6690a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.58 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A FDS6690A ON Semiconductor fds6690a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
184+77.58 грн
Мінімальне замовлення: 184 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A FDS6690A ONSEMI FDS6690A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 448 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+87.99 грн
8+56.94 грн
10+49.19 грн
50+35.65 грн
56+16.92 грн
154+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A FDS6690A onsemi fds6690a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.56 грн
10+56.08 грн
50+41.62 грн
100+34.65 грн
500+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A FDS6690A onsemi fds6690a-d.pdf c77f4c4cbafb05b6f83564ed6334c58e.pdf MOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
на замовлення 142 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+102.39 грн
10+52.31 грн
100+36.79 грн
500+30.42 грн
1000+26.91 грн
2500+19.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A FDS6690A ONSEMI 2304182.pdf Description: ONSEMI - FDS6690A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A FDS6690A ONSEMI 2304182.pdf Description: ONSEMI - FDS6690A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A c77f4c4cbafb05b6f83564ed6334c58e.pdf
FDS6690A
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.01 грн
9000+10.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A info-tfds6690a.pdf
FDS6690A
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 22mOhm; 11A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6690A TFDS6690a
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+15.47 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A fds6690a-d.pdf
FDS6690A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A fds6690a-d.pdf
FDS6690A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A c77f4c4cbafb05b6f83564ed6334c58e.pdf
FDS6690A
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
на замовлення 2675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+55.54 грн
10+33.05 грн
50+24.17 грн
100+19.99 грн
500+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A fds6690a-d.pdf
FDS6690A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+77.58 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A fds6690a-d.pdf
FDS6690A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
184+77.58 грн
Мінімальне замовлення: 184 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A FDS6690A.pdf
FDS6690A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 448 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+87.99 грн
8+56.94 грн
10+49.19 грн
50+35.65 грн
56+16.92 грн
154+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A fds6690a-d.pdf
FDS6690A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+92.56 грн
10+56.08 грн
50+41.62 грн
100+34.65 грн
500+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A fds6690a-d.pdf c77f4c4cbafb05b6f83564ed6334c58e.pdf
FDS6690A
Виробник: onsemi
MOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
на замовлення 142 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+102.39 грн
10+52.31 грн
100+36.79 грн
500+30.42 грн
1000+26.91 грн
2500+19.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A 2304182.pdf
FDS6690A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6690A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A 2304182.pdf
FDS6690A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6690A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.