
на замовлення 7188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
704+ | 43.38 грн |
1000+ | 40.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS6690AS ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDS6690AS за ціною від 35.67 грн до 43.38 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDS6690AS | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
FDS6690AS | Виробник : FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 7232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
FDS6690AS | Виробник : FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 5371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
FDS6690AS | Виробник : FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 59264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
FDS6690AS | Виробник : FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 8789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
FDS6690AS | Виробник : FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 8095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
FDS6690AS | Виробник : FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 10458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
FDS6690AS | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
FDS6690AS Код товару: 169096
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||
![]() |
FDS6690AS | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
FDS6690AS | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
FDS6690AS | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |