Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS6875
FDS6875

FDS6875 ON Semiconductor

fds6875-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+46.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6875 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS6875 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDS6875 за ціною від 37.00 грн до 92.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS6875 FDS6875 ON Semiconductor fds6875-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875 FDS6875 ON Semiconductor fds6875-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+79.67 грн
180+78.86 грн
204+69.54 грн
300+45.56 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875 FDS6875 ON Semiconductor fds6875-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.12 грн
10+79.67 грн
25+78.86 грн
100+67.06 грн
250+42.19 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875 FDS6875 onsemi fds6875-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.99 грн
10+73.35 грн
100+57.10 грн
500+45.42 грн
1000+37.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875 FDS6875 onsemi / Fairchild FDS6875_D-2312790.pdf MOSFET SO-8 DUAL P-CH -20V
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875 FDS6875 ONSEMI 2299964.pdf Description: ONSEMI - FDS6875 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875 FDS6875 ONSEMI 2299964.pdf Description: ONSEMI - FDS6875 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875 fds6875-d.pdf
FDS6875
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+49.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875 fds6875-d.pdf
FDS6875
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
178+79.67 грн
180+78.86 грн
204+69.54 грн
300+45.56 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875 fds6875-d.pdf
FDS6875
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+89.12 грн
10+79.67 грн
25+78.86 грн
100+67.06 грн
250+42.19 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875 fds6875-d.pdf
FDS6875
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+92.99 грн
10+73.35 грн
100+57.10 грн
500+45.42 грн
1000+37.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875 FDS6875_D-2312790.pdf
FDS6875
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET SO-8 DUAL P-CH -20V
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875 2299964.pdf
FDS6875
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6875 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875 2299964.pdf
FDS6875
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6875 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.