Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS6875
FDS6875

FDS6875 ON Semiconductor

fds6875-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6875 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS6875 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDS6875 за ціною від 37.55 грн до 102.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS6875 FDS6875 Виробник : ON Semiconductor fds6875-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+42.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875 FDS6875 Виробник : ON Semiconductor fds6875-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+48.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875 FDS6875 Виробник : ONSEMI 2299964.pdf Description: ONSEMI - FDS6875 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+64.03 грн
500+54.78 грн
1000+41.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875 FDS6875 Виробник : ON Semiconductor fds6875-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
178+71.87 грн
180+71.15 грн
204+62.73 грн
300+41.10 грн
Мінімальне замовлення: 178
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875 FDS6875 Виробник : ON Semiconductor fds6875-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+86.15 грн
10+77.00 грн
25+76.23 грн
100+64.82 грн
250+40.78 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875 FDS6875 Виробник : ONSEMI 2299964.pdf Description: ONSEMI - FDS6875 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+86.90 грн
50+75.42 грн
100+64.03 грн
500+54.78 грн
1000+41.26 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875 FDS6875 Виробник : onsemi / Fairchild FDS6875_D-2312790.pdf MOSFET SO-8 DUAL P-CH -20V
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.76 грн
10+78.58 грн
100+57.86 грн
500+50.70 грн
1000+41.96 грн
2500+39.36 грн
5000+37.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875 FDS6875 Виробник : onsemi fds6875-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.19 грн
10+80.61 грн
100+62.75 грн
500+49.92 грн
1000+40.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875 FDS6875 Виробник : ON Semiconductor fds6875-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875 FDS6875 Виробник : onsemi fds6875-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.