FDS6875 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 94.06 грн |
| 10+ | 74.20 грн |
| 100+ | 57.76 грн |
| 500+ | 45.94 грн |
| 1000+ | 37.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS6875 onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.
Інші пропозиції FDS6875
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS6875 | onsemi / Fairchild |
MOSFET SO-8 DUAL P-CH -20V |
на замовлення 1494 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDS6875 |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET SO-8 DUAL P-CH -20V
MOSFET SO-8 DUAL P-CH -20V
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)