FDS6875

FDS6875 onsemi / Fairchild


FDS6875_D-2312790.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET SO-8 DUAL P-CH -20V
на замовлення 1494 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.13 грн
10+69.57 грн
100+51.23 грн
500+44.89 грн
1000+37.15 грн
2500+34.85 грн
5000+33.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6875 onsemi / Fairchild

Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.

Інші пропозиції FDS6875 за ціною від 37.44 грн до 94.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS6875 FDS6875 Виробник : onsemi fds6875-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.09 грн
10+74.22 грн
100+57.78 грн
500+45.96 грн
1000+37.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875 FDS6875 Виробник : onsemi fds6875-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.