Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDS6890A
FDS6890A

FDS6890A ON Semiconductor

fds6890ad.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
176+83.30 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 176 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6890A ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDS6890A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.013 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції FDS6890A за ціною від 38.75 грн до 156.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS6890A FDS6890A ON Semiconductor fds6890ad.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+92.85 грн
500+83.55 грн
1000+77.06 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890A FDS6890A ON Semiconductor fds6890ad.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.27 грн
10+83.30 грн
25+82.71 грн
100+69.87 грн
250+63.30 грн
500+55.33 грн
1000+44.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890A FDS6890A onsemi fds6890a-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 1881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.45 грн
10+86.12 грн
50+64.89 грн
100+54.48 грн
500+43.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890A FDS6890A onsemi / Fairchild fds6890a-d.pdf MOSFETs SO-8 DUAL N-CH 20V
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+151.85 грн
10+96.04 грн
100+56.20 грн
500+46.04 грн
1000+40.70 грн
2500+38.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890A FDS6890A onsemi fds6890a-d.pdf MOSFETs SO-8 DUAL N-CH 20V
на замовлення 1618 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+156.24 грн
10+73.80 грн
100+57.48 грн
500+45.52 грн
1000+43.41 грн
2500+39.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890A FDS6890A ONSEMI 2304019.pdf Description: ONSEMI - FDS6890A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890A FDS6890A ONSEMI 2304019.pdf Description: ONSEMI - FDS6890A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890A fds6890ad.pdf
FDS6890A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
395+92.85 грн
500+83.55 грн
1000+77.06 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890A fds6890ad.pdf
FDS6890A
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+105.27 грн
10+83.30 грн
25+82.71 грн
100+69.87 грн
250+63.30 грн
500+55.33 грн
1000+44.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890A fds6890a-d.pdf
FDS6890A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 1881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+140.45 грн
10+86.12 грн
50+64.89 грн
100+54.48 грн
500+43.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890A fds6890a-d.pdf
FDS6890A
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SO-8 DUAL N-CH 20V
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+151.85 грн
10+96.04 грн
100+56.20 грн
500+46.04 грн
1000+40.70 грн
2500+38.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890A fds6890a-d.pdf
FDS6890A
Виробник: onsemi
MOSFETs SO-8 DUAL N-CH 20V
на замовлення 1618 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+156.24 грн
10+73.80 грн
100+57.48 грн
500+45.52 грн
1000+43.41 грн
2500+39.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890A 2304019.pdf
FDS6890A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6890A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6890A 2304019.pdf
FDS6890A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6890A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.