FDS6890A onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 35.94 грн |
| 5000+ | 32.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS6890A onsemi
Description: ONSEMI - FDS6890A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.013 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro Raspberry Pi-4 PSU, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDS6890A за ціною від 38.58 грн до 136.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDS6890A | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS6890A | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS6890A | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS6890A | onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOICVgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 900mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: 8-SOIC |
на замовлення 6052 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS6890A | onsemi |
MOSFETs SO-8 DUAL N-CH 20V |
на замовлення 1877 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FDS6890A | onsemi / Fairchild |
MOSFETs SO-8 DUAL N-CH 20V |
на замовлення 2941 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FDS6890A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6890A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.013 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FDS6890A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6890A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.013 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Raspberry Pi-4 PSU Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDS6890A |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 176+ | 80.25 грн |
| FDS6890A |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 395+ | 89.45 грн |
| 500+ | 80.49 грн |
| 1000+ | 74.24 грн |
| FDS6890A |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 101.42 грн |
| 10+ | 80.25 грн |
| 25+ | 79.69 грн |
| 100+ | 67.31 грн |
| 250+ | 60.98 грн |
| 500+ | 53.30 грн |
| 1000+ | 42.58 грн |
| FDS6890A |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 6052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 136.85 грн |
| 10+ | 83.91 грн |
| 100+ | 56.60 грн |
| 500+ | 42.12 грн |
| 1000+ | 38.58 грн |
| FDS6890A |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs SO-8 DUAL N-CH 20V
MOSFETs SO-8 DUAL N-CH 20V
на замовлення 1877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDS6890A |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SO-8 DUAL N-CH 20V
MOSFETs SO-8 DUAL N-CH 20V
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDS6890A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6890A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDS6890A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDS6890A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6890A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Raspberry Pi-4 PSU
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDS6890A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Raspberry Pi-4 PSU
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





