FDS6890A onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 38.54 грн |
| 5000+ | 34.59 грн |
| 7500+ | 34.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS6890A onsemi
Description: ONSEMI - FDS6890A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.013 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro Raspberry Pi-4 PSU, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDS6890A за ціною від 18.90 грн до 153.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS6890A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS6890A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6890A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.013 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Raspberry Pi-4 PSU Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS6890A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6890A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6890A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6890A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
на замовлення 9944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6890A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6890A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.013 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS6890A | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SO-8 DUAL N-CH 20V |
на замовлення 2941 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDS6890A | Виробник : Fairchild |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 8V; 34mOhm; 7,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; FDS6890A TFDS6890a кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 74 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
FDS6890A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |