Технічний опис FDS6910 ON Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 7.5A; 1.6W; SO8, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 7.5A, Power dissipation: 1.6W, Case: SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 20mΩ, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FDS6910
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS6910 | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
 MOSFET Dual N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
FDS6910 | Виробник : ON Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
FDS6910 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 7.5A; 1.6W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 7.5A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
FDS6910 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 7.5A; 1.6W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 7.5A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |