| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 102.36 грн |
| 10+ | 77.41 грн |
| 25+ | 67.31 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
8 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS6910 ON Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 7.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.
Інші пропозиції FDS6910
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS6910 | onsemi |
 Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
FDS6910 | onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
FDS6910 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs Dual N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| FDS6910 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDS6910 |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FDS6910 |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FDS6910 |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs Dual N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET
MOSFETs Dual N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FDS6910 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.