на замовлення 82500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 21.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS6912A ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDS6912A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.019 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDS6912A за ціною від 19.46 грн до 103.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDS6912A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 9400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS6912A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS6912A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS6912A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS6912A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS6912A | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SO-8 DUAL N-CH 30V |
на замовлення 8969 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS6912A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 9569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDS6912A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6912A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.019 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6076 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDS6912A | Виробник : ON-Semicoductor |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 44mOhm; 6A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; FDS6912A TFDS6912aкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FDS6912A | Виробник : ONSEMI |
FDS6912A Multi channel transistors |
на замовлення 1738 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDS6912A Код товару: 148756
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
|
FDS6912A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
FDS6912A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |



