Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 > FDS6912A

FDS6912A

FDS6912A-D.PDF
Код товару: 148756
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDS6912A за ціною від 17.95 грн до 93.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDS6912A FDS6912A onsemi FDS6912A-D.PDF Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.14 грн
5000+18.80 грн
7500+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912A FDS6912A ON-Semiconductor info-tfds6912a.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 44mOhm; 6A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; FDS6912A TFDS6912a
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+28.02 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912A FDS6912A onsemi / Fairchild FDS6912A_D-2313001.pdf MOSFETs SO-8 DUAL N-CH 30V
на замовлення 8969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.03 грн
10+39.14 грн
100+26.72 грн
500+22.99 грн
1000+19.40 грн
2500+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912A FDS6912A onsemi FDS6912A-D.PDF Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.55 грн
10+49.28 грн
100+32.45 грн
500+23.66 грн
1000+21.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912A FDS6912A ONSEMI ONSM-S-A0014831979-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS6912A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.43 грн
50+50.66 грн
100+36.24 грн
500+28.57 грн
1000+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912A FDS6912A-D.PDF
FDS6912A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+21.14 грн
5000+18.80 грн
7500+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912A info-tfds6912a.pdf
FDS6912A
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 44mOhm; 6A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; FDS6912A TFDS6912a
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
25+28.02 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912A FDS6912A_D-2313001.pdf
FDS6912A
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SO-8 DUAL N-CH 30V
на замовлення 8969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+52.03 грн
10+39.14 грн
100+26.72 грн
500+22.99 грн
1000+19.40 грн
2500+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912A FDS6912A-D.PDF
FDS6912A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+81.55 грн
10+49.28 грн
100+32.45 грн
500+23.66 грн
1000+21.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912A ONSM-S-A0014831979-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS6912A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6912A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+93.43 грн
50+50.66 грн
100+36.24 грн
500+28.57 грн
1000+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.