FDS6912A
Код товару: 148756
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FDS6912A за ціною від 18.17 грн до 95.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS6912A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDS6912A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 82500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDS6912A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDS6912A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDS6912A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDS6912A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDS6912A | Виробник : ON-Semiconductor |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 44mOhm; 6A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; FDS6912A TFDS6912a кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDS6912A | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SO-8 DUAL N-CH 30V |
на замовлення 8969 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDS6912A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 9029 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDS6912A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6912A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.019 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6076 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDS6912A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |