Продукція > ONSEMI > FDS6912A
FDS6912A

FDS6912A onsemi

ONSM-S-A0003584182-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.01 грн
5000+20.53 грн
7500+19.66 грн
12500+17.86 грн
17500+17.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6912A onsemi

Description: ONSEMI - FDS6912A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.019 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDS6912A за ціною від 18.14 грн до 89.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS6912A FDS6912A Виробник : ON Semiconductor fds6912a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
221+55.28 грн
223+54.73 грн
303+40.26 грн
315+37.35 грн
535+20.34 грн
Мінімальне замовлення: 221
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912A FDS6912A Виробник : onsemi / Fairchild FDS6912A_D-2313001.pdf MOSFETs SO-8 DUAL N-CH 30V
на замовлення 8969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+55.31 грн
10+41.61 грн
100+28.40 грн
500+24.44 грн
1000+20.62 грн
2500+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912A FDS6912A Виробник : ON Semiconductor fds6912a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+60.24 грн
12+51.33 грн
25+50.82 грн
100+36.05 грн
250+32.12 грн
500+18.14 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912A FDS6912A Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E085A9212CAF1A303005056AB0C4F&compId=FDS6912A.pdf?ci_sign=7582581ccdd344af3692ef8157f84773ad2e9493 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6A; 1.6W; SO8
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 8.1nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
на замовлення 2338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+69.98 грн
10+41.66 грн
33+27.37 грн
90+25.84 грн
500+24.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912A FDS6912A Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584182-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDS6912A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+70.31 грн
15+58.12 грн
100+36.80 грн
500+28.59 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912A FDS6912A Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E20E085A9212CAF1A303005056AB0C4F&compId=FDS6912A.pdf?ci_sign=7582581ccdd344af3692ef8157f84773ad2e9493 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6A; 1.6W; SO8
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 8.1nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2338 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.98 грн
10+51.92 грн
33+32.84 грн
90+31.01 грн
500+29.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912A FDS6912A Виробник : onsemi ONSM-S-A0003584182-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 112094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.71 грн
10+53.82 грн
100+35.43 грн
500+25.83 грн
1000+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912A Виробник : ON-Semicoductor ONSM-S-A0003584182-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 44mOhm; 6A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; FDS6912A TFDS6912a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+33.65 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912A
Код товару: 148756
Додати до обраних Обраний товар

ONSM-S-A0003584182-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912A FDS6912A Виробник : ON Semiconductor fds6912a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912A FDS6912A Виробник : ON Semiconductor fds6912a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.