Продукція > ONSEMI > FDS6912A
FDS6912A

FDS6912A onsemi

FDS6912A-D.PDF Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.36 грн
5000+18.99 грн
7500+18.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6912A onsemi

Description: ONSEMI - FDS6912A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.019 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDS6912A за ціною від 18.13 грн до 95.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS6912A FDS6912A Виробник : ON Semiconductor fds6912a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 82500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912A FDS6912A Виробник : ON Semiconductor fds6912a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912A FDS6912A Виробник : ON Semiconductor fds6912a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
425+30.37 грн
Мінімальне замовлення: 425
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912A FDS6912A Виробник : ON Semiconductor fds6912a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+33.56 грн
23+32.54 грн
100+29.04 грн
250+27.82 грн
500+23.79 грн
1000+21.34 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912A FDS6912A Виробник : ON Semiconductor fds6912a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
935+34.54 грн
1014+31.84 грн
10000+28.39 грн
Мінімальне замовлення: 935
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912A FDS6912A Виробник : onsemi / Fairchild FDS6912A_D-2313001.pdf MOSFETs SO-8 DUAL N-CH 30V
на замовлення 8969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.55 грн
10+39.53 грн
100+26.98 грн
500+23.22 грн
1000+19.59 грн
2500+18.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912A FDS6912A Виробник : onsemi FDS6912A-D.PDF Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 9029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.36 грн
10+49.78 грн
100+32.77 грн
500+23.90 грн
1000+21.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912A FDS6912A Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014831979-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS6912A - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+95.17 грн
50+55.07 грн
100+37.17 грн
500+27.57 грн
1000+22.87 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912A Виробник : ON-Semiconductor FDS6912A-D.PDF Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 44mOhm; 6A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; FDS6912A TFDS6912a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+37.94 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912A
Код товару: 148756
Додати до обраних Обраний товар

FDS6912A-D.PDF Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912A FDS6912A Виробник : ON Semiconductor fds6912a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.