Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS6930A ON Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 900mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Bulk, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.5A, 10V.
Інші пропозиції FDS6930A за ціною від 33.05 грн до 33.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDS6930A | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
 |
FDS6930A | Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 900mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Bulk Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.5A, 10V |
на замовлення 4940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FDS6930A |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1068+ | 33.05 грн |
| FDS6930A |
|
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.5A, 10V
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.5A, 10V
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 595+ | 33.39 грн |