Продукція > ONSEMI > FDS6930B
FDS6930B

FDS6930B ONSEMI

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE7097C35ACC259&compId=FDS6930B.pdf?ci_sign=2f6b44b5c8aa27738b0f0346d34491b4ca7181ba Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 62mΩ
Gate charge: 3.8nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+28.82 грн
16+25.23 грн
51+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6930B ONSEMI

Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 412pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.

Інші пропозиції FDS6930B за ціною від 14.82 грн до 64.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS6930B FDS6930B Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE7097C35ACC259&compId=FDS6930B.pdf?ci_sign=2f6b44b5c8aa27738b0f0346d34491b4ca7181ba Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 62mΩ
Gate charge: 3.8nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+34.58 грн
10+31.44 грн
51+21.28 грн
140+20.09 грн
2500+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930B FDS6930B Виробник : onsemi / Fairchild FDS6930B_D-1808522.pdf MOSFETs SO8 DUAL NCH LOGIC level POWER TRENCH
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.30 грн
10+43.80 грн
100+31.19 грн
250+28.48 грн
500+24.51 грн
1000+19.74 грн
2500+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930B FDS6930B Виробник : ON Semiconductor 3672905752879831fds6930b.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930B FDS6930B
Код товару: 118461
Додати до обраних Обраний товар

ONSM-S-A0003584273-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930B FDS6930B Виробник : ON Semiconductor 3672905752879831fds6930b.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930B FDS6930B Виробник : ON Semiconductor 3672905752879831fds6930b.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930B FDS6930B Виробник : onsemi ONSM-S-A0003584273-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 412pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930B FDS6930B Виробник : onsemi ONSM-S-A0003584273-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 412pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.