Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FDS6930B
FDS6930B

FDS6930B onsemi / Fairchild

FDS6930B_D-1808522.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SO8 DUAL NCH LOGIC level POWER TRENCH
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.96 грн
10+44.93 грн
100+31.99 грн
250+29.21 грн
500+25.14 грн
1000+20.25 грн
2500+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6930B onsemi / Fairchild

Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 412pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.

Інші пропозиції FDS6930B за ціною від 26.91 грн до 45.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDS6930B FDS6930B Виробник : ON Semiconductor 3672905752879831fds6930b.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930B Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584273-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS6930B Multi channel transistors
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.60 грн
39+28.42 грн
107+26.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930B FDS6930B
Код товару: 118461
Додати до обраних Обраний товар

ONSM-S-A0003584273-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930B FDS6930B Виробник : ON Semiconductor 3672905752879831fds6930b.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930B FDS6930B Виробник : ON Semiconductor 3672905752879831fds6930b.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930B FDS6930B Виробник : onsemi ONSM-S-A0003584273-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 412pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6930B FDS6930B Виробник : onsemi ONSM-S-A0003584273-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 412pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.