Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FDS6930B

FDS6930B onsemi / Fairchild

Name: FDS6930B
Brand: onsemi / Fairchild
SKU: 5097550-4
Price: 400.50 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SO8 DUAL NCH LOGIC level POWER TRENCH

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	66.75 грн
10+	45.47 грн
100+	32.38 грн
250+	29.56 грн
500+	25.45 грн
1000+	20.49 грн
2500+	15.39 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FDS6930B onsemi / Fairchild

Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 412pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.

Інші пропозиції FDS6930B

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
FDS6930B	Виробник : ON Semiconductor	Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin SOIC T/R	на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
FDS6930B Код товару: 118461 Додати до обраних Обраний товар		Транзистори > Польові N-канальні	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FDS6930B	Виробник : ON Semiconductor	Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin SOIC T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FDS6930B	Виробник : ON Semiconductor	Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin SOIC T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FDS6930B	Виробник : onsemi	Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 412pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FDS6930B	Виробник : onsemi	Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 412pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.