Інші пропозиції FDS6961A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS6961A | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
 MOSFET SO-8 DUAL N-CH |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| FDS6961A | Виробник : ONS/FAI |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||
 |
FDS6961A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |
|
|
|
FDS6961A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |