Технічний опис FDS6982 F
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 8.6A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.
Інші пропозиції FDS6982
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
FDS6982 | Виробник : F |
![]() |
на замовлення 430 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
FDS6982 | Виробник : Fairchild |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
FDS6982 | Виробник : FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 1156 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
FDS6982 | Виробник : FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
FDS6982 | Виробник : FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 376 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
FDS6982 | Виробник : FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
FDS6982 | Виробник : FSC |
![]() |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
FDS6982 | Виробник : FSC |
![]() |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
FDS6982 | Виробник : FSC |
![]() |
на замовлення 1040 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
FDS6982 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 8.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
товару немає в наявності |
|
![]() |
FDS6982 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 8.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
товару немає в наявності |
|
![]() |
FDS6982 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товару немає в наявності |