Продукція > ONSEMI > FDS6986AS
FDS6986AS

FDS6986AS onsemi

fds6986as-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 7.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+27.17 грн
5000+24.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6986AS onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 7.9A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.

Інші пропозиції FDS6986AS за ціною від 27.43 грн до 100.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDS6986AS FDS6986AS Fairchild Semiconductor FAIRS23153-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 7.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
597+33.36 грн
Мінімальне замовлення: 597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986AS FDS6986AS onsemi fds6986as-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 7.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 7274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.96 грн
10+61.40 грн
100+40.88 грн
500+30.09 грн
1000+27.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986AS FDS6986AS ONSEMI 2299539.pdf Description: ONSEMI - FDS6986AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 7.9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986AS FDS6986AS ONSEMI 2299539.pdf Description: ONSEMI - FDS6986AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986AS Aptina Imaging FAIRS23153-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fds6986as-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A/7.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.23 грн
5000+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986AS FAIRS23153-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS6986AS
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 7.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
597+33.36 грн
Мінімальне замовлення: 597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986AS fds6986as-d.pdf
FDS6986AS
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 7.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 7274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.96 грн
10+61.40 грн
100+40.88 грн
500+30.09 грн
1000+27.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986AS 2299539.pdf
FDS6986AS
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6986AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 7.9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986AS 2299539.pdf
FDS6986AS
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6986AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6986AS FAIRS23153-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fds6986as-d.pdf
Виробник: Aptina Imaging
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A/7.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+35.23 грн
5000+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.