Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDS7082N3
FDS7082N3

FDS7082N3 Fairchild Semiconductor

FAIRS34730-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 17.5A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2271 pF @ 15 V
на замовлення 13304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
523+37.66 грн
Мінімальне замовлення: 523
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS7082N3 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 17.5A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 17.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO FLMP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2271 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDS7082N3 за ціною від 57.67 грн до 57.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS7082N3 FDS7082N3 Виробник : ONSEMI FAIRS34730-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDS7082N3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
628+57.67 грн
Мінімальне замовлення: 628
FDS7082N3 Виробник : FAIRCHILD FAIRS34730-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS7082N3.pdf 07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS7082N3 Виробник : FAIRCHILD FAIRS34730-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS7082N3.pdf SO-8
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS7082N3 Виробник : FSC FAIRS34730-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS7082N3.pdf
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS7082N3 Виробник : FSC FAIRS34730-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDS7082N3.pdf 09+ SO-8
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS7082N3 FDS7082N3 Виробник : onsemi FDS7082N3.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 17.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO FLMP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2271 pF @ 15 V
товар відсутній